Компания MORNSUN выпускает широкий выбор DC/DC-преобразователей для питания IGBT-, SiC- драйверов, а также универсальные варианты для IGBT/SiC/MOSFET. Это специализированные DC/DC-преобразователи в корпусе типа SIP или DIP с биполярным выходом разного значения (несимметричный выход), с высокими показателями изоляции "вход-выход", низкой проходной емкостью и с долговременной защитой от КЗ на выходе. Наиболее популярные преобразователи для IGBT и SiC уже имеются на складе Компэл (таблица №1).
Кроме этого, компания MORNSUN недавно разработала новое поколение данной продукции – R3 с улучшенными параметрами. Снизился уровень шума, увеличилась допустимая емкость нагрузки, повысился КПД и дополнительно снизилось значение проходной емкости, а напряжение изоляции у изделий нового поколения составляет 5000 В АС. Вся эта продукция уже доступна для заказа.
При разработке преобразователей с использованием IGBT/SiC/MOSFET-драйверов требуется обычно и маломощный служебный AC/DC-источник питания. Подобная продукция также широко представлена в линейке MORNSUN. Это - семейство источников питания LD/R2 в диапазоне мощности от 3 до 60 Вт.
Вся перечисленная продукция предназначена для использования в преобразователях электроэнергии для наземного транспорта, в том числе железнодорожного, в зарядных станциях, в устройствах электропитания ЦОД/телеком, а также в возобновляемой энергетике.
Таблица №1. Основные технические параметры DC/DC-преобразователей для IGBT/SiC-драйверов
Наименование* | Тип корпуса | Выходная мощность, Вт | Входное напряжение (ном.), В | Выходное напряжение, В | Проходная емкость, пФ | Изоляция "вх-вых", В (AC/DC) | Диапазон температуры, °С | Применение |
QA01 | SIP7 | 1,6 | 15 | 15 В, -8.7 В | 6,6 | 3000 AC | -40…105 | для IGBT |
QA01C-18 | SIP7 | 2,1 | 15 | 18 В, -3 В | 3,5 | 6000 DC | -40…105 | для SIC |
QA03 | SIP7 | 1,5 | 24 | 15 В, -8.7 В | 6,6 | 3000 AC | -40…105 | для IGBT |
QA04 | SIP7 | 2 | 12 | 15 В, -8 В | 6,6 | 3000 AC | -40…105 | для IGBT |
QA1201C-20 | SIP7 | 2,5 | 12 | 20 В, -5 В | 3,5 | 6000 DC | -40…105 | для SIC |
QA121 | SIP7 | 2,8 | 12 | 15 В, -8 В | 6 | 3000 AC | -40…85 | для IGBT |
QA121C2 | SIP7 | 2 | 12 | 15 В, -3.5 В | 3,5 | 6000 DC | -40…105 | для SIC |
QA151C3 | SIP7 | 2 | 15 | 15 В, -4 В | 3,5 | 6000 DC | -40…105 | для SIC |
QA2401C-20 | SIP7 | 2,4 | 24 | 20 В, -4 В | 3,5 | 6000 DC | -40…105 | для SIC |
QAW02 | DIP24 | 3 | 24 (2:1) | 15 В, -9 В | 100 | 3000 DC | -40…85 | для IGBT |
* Защита от КЗ. | ||||||||
Особенности:
- Несимметричный биполярный выход
- Усиленная изоляция "вход-выход"
- Низкое значение проходной емкости
- Долговременная защита от КЗ
Применение:
- IGBT/SIC/MOSFET-драйверы
- Преобразователи электроэнергии
- Зарядные станции
- Источники питания ЦОД/телеком
Источник: www.compel.ru