RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/mornsun_dc_dc_converters_igbt_sic_mosfet_drivers.html

DC/DC-преобразователи MORNSUN для IGBT/SiC/MOSFET-драйверов

Компания MORNSUN выпускает широкий выбор DC/DC-преобразователей для питания IGBT-, SiC- драйверов, а также универсальные варианты для IGBT/SiC/MOSFET. Это специализированные DC/DC-преобразователи в корпусе типа SIP или DIP с биполярным выходом разного значения (несимметричный выход), с высокими показателями изоляции "вход-выход", низкой проходной емкостью и с долговременной защитой от КЗ на выходе. Наиболее популярные преобразователи для IGBT и SiC уже имеются на складе Компэл (таблица №1).

Кроме этого, компания MORNSUN недавно разработала новое поколение данной продукции – R3 с улучшенными параметрами. Снизился уровень шума, увеличилась допустимая емкость нагрузки, повысился КПД и дополнительно снизилось значение проходной емкости, а напряжение изоляции у изделий нового поколения составляет 5000 В АС. Вся эта продукция уже доступна для заказа.

При разработке преобразователей с использованием IGBT/SiC/MOSFET-драйверов требуется обычно и маломощный служебный AC/DC-источник питания. Подобная продукция также широко представлена в линейке MORNSUN. Это - семейство источников питания LD/R2 в диапазоне мощности от 3 до 60 Вт.

Вся перечисленная продукция предназначена для использования в преобразователях электроэнергии для наземного транспорта, в том числе железнодорожного, в зарядных станциях, в устройствах электропитания ЦОД/телеком, а также в возобновляемой энергетике.

Таблица №1. Основные технические параметры DC/DC-преобразователей для IGBT/SiC-драйверов

Наименование*

Тип корпуса

Выходная мощность, Вт

Входное напряжение (ном.), В

Выходное напряжение, В

Проходная емкость, пФ

Изоляция "вх-вых", В (AC/DC)

Диапазон температуры, °С

Применение

QA01

SIP7

1,6

15

15 В, -8.7 В

6,6

3000 AC

-40…105

для IGBT

QA01C-18

SIP7

2,1

15

18 В, -3 В

3,5

6000 DC

-40…105

для SIC

QA03

SIP7

1,5

24

15 В, -8.7 В

6,6

3000 AC

-40…105

для IGBT

QA04

SIP7

2

12

15 В, -8 В

6,6

3000 AC

-40…105

для IGBT

QA1201C-20

SIP7

2,5

12

20 В, -5 В

3,5

6000 DC

-40…105

для SIC

QA121

SIP7

2,8

12

15 В, -8 В

6

3000 AC

-40…85

для IGBT

QA121C2

SIP7

2

12

15 В, -3.5 В

3,5

6000 DC

-40…105

для SIC

QA151C3

SIP7

2

15

15 В, -4 В

3,5

6000 DC

-40…105

для SIC

QA2401C-20

SIP7

2,4

24

20 В, -4 В

3,5

6000 DC

-40…105

для SIC

QAW02

DIP24

3

24 (2:1)

15 В, -9 В

100

3000 DC

-40…85

для IGBT

* Защита от КЗ.

 

Особенности:

 

Применение:

Источник: www.compel.ru