Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзисторы семейства N100V (таблица 1) предлагаются в двух вариантах корпусов (рисунок 1).
Благодаря значительному коммутируемому току при малых потерях и высокому значению напряжения "сток-исток" новые MOSFET N100V отлично подходят для систем управления аккумуляторными батареями (BMS), накопителей энергии и других сфер применения, где требуется преобразование или коммутация энергии значительной мощности.
Рис. 1. Внешний вид корпусов TO-247 (а) и TOLL (б)
Общие параметры новых MOSFET N100V:
- N-канал;
- напряжение "сток-исток", VDS: 100 В;
- максимальное напряжение затвора, VGS: ±20 В;
- производство по современной технологии Split Gate Trench.
Таблица 1. Характеристики транзисторов новой серии N100V
Наименование | Ток стока I D при T c = 25°C, А | Номинальное пороговое напряжение затвора Vth, В | Сопротивление перехода R dson при V GS =10 В, мОм | Общий заряд затвора Qg, нКл | Диапазон рабочих температур кристалла Tj, °C | Корпус | |
Ном. | Макс. | ||||||
YJN280G10H | 280 | 2,8 | 2 | 2,6 | 257 | -55…150 | TO-247 |
YJN290N10H | 290 | 2,6 | 1,8 | 2,4 | 166 | -55…175 | TO-247 |
YJT300G10A | 300 | 2,6 | 1,2 | 1,55 | 166 | -55…175 | TOLL |
YJT300G10H | 300 | 2,8 | 1,35 | 1,7 | 257 | -55…175 | TOLL |
Источник: www.compel.ru