Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).
В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение "чип-корпус" по сравнению с традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.
Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.
Особенности:
- Низкие потери на переключение;
- Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
- Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
- Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
- Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.
Области применения:
- Зарядные устройства;
- Источники бесперебойного питания (ИБП);
- Солнечные инверторы;
- Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
- Системы хранения энергии;
- Системы управления приводами.
Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем
Наименование | Id @ 100°, А | R ds(on) (typ.) @ 25°C, мОм | R ds(on) (typ.) @ 150°C, мОм | Корпус |
IMBG120R030M1H | 47 | 30 | 38 | PG-TO263-7 |
IMBG120R045M1H | 33 | 45 | 57 | PG-TO263-7 |
IMBG120R060M1H | 26 | 60 | 76 | PG-TO263-7 |
IMBG120R090M1H | 18 | 90 | 114 | PG-TO263-7 |
IMBG120R140M1H | 13 | 140 | 178 | PG-TO263-7 |
IMBG120R220M1H | 9.1 | 220 | 280 | PG-TO263-7 |
IMBG120R350M1H | 4.7 | 350 | 446 | PG-TO263-7 |
Источник: www.compel.ru