Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/mosfet_coolsic_1200v_d2pak_7l.html

Новые MOSFET CoolSiC 1200 В в корпусе D2PAK-7L

Компания Infineon представила новую линейку MOSFET 1200 В, изготовленных по технологии CoolSiC. Транзисторы доступны в корпусе D2PAK-7L (TO263-7) в широком диапазоне значений RDS(on) (от 30 до 350 мОм).

В новых MOSFET используется технология соединения кристалла .XT, которая помогает рассеивать на 30% больше тепла через соединение "чип-корпус" по сравнению с традиционными решениями. Использование технологии .XT позволяет новым транзисторам демонстрировать лучшие в классе тепловые характеристики и повысить уровень выходного тока до 14% по сравнению с аналогичными решениями, что соответствует удвоению частоты переключения или снижению рабочей температуры на 10…15°C.

Новые MOSFET оптимизированы для работы в высоковольтных приложениях и способны выдерживать короткое замыкание в течение 3 мс.

Особенности:

Низкие потери на переключение;
Устойчивость к короткому замыканию в течение 3 мкс;
Технология межсоединений .XT, лучшие в классе тепловые характеристики;
Пороговое напряжение включения VGS (th) = 4,5 В, устойчивость к паразитному включению;
Корпус D2PAK-7L (TO263-7) с зазором и расстоянием утечки> 6,1 мм.

Области применения:

Зарядные устройства;
Источники бесперебойного питания (ИБП);
Солнечные инверторы;
Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
Системы хранения энергии;
Системы управления приводами.

Пример использования новых MOSFET CoolSiC 1200 В в схеме управления двигателем

Наименование	Id @ 100°, А	R _ds(on) (typ.) @ 25°C, мОм	R _ds(on) (typ.) @ 150°C, мОм	Корпус
IMBG120R030M1H	47	30	38	PG-TO263-7
IMBG120R045M1H	33	45	57	PG-TO263-7
IMBG120R060M1H	26	60	76	PG-TO263-7
IMBG120R090M1H	18	90	114	PG-TO263-7
IMBG120R140M1H	13	140	178	PG-TO263-7
IMBG120R220M1H	9.1	220	280	PG-TO263-7
IMBG120R350M1H	4.7	350	446	PG-TO263-7

Источник: www.compel.ru