Архив : 27 Сентябрь 2018 год

Компания ST Microelectronics выпустила новый гальванически изолированный драйвер STGAP2S для управления высоковольтными IGBT или SiC MOSFET. Драйвер выпускается в двух вариантах конфигурации: с раздельными выходами Sink/Source или с совмещённым выходом и функцией защиты от эффекта Миллера. Напряжение изоляции составляет 1700 В. Выходной ток драйверов составляет ±4 А, а максимальная частота коммутации достигает 4 МГц.

Основным применением данных драйверов являются инверторы высокой мощности, промышленные источники питания и преобразователи для солнечной и ветроэнергетики.

Технические характеристики

• два раздельных низкоомных выходных канала Source/Sink – ±4 А;
• диапазон напряжений питания – 4.5…28 В;
• время распространения входного импульса – 80 нс;
• напряжение изоляции – ±1700 В;
• возможна работа на частоте до 4.0 МГц;
• совместимость с логикой CMOS/TTL 3.3 В, 5.0 В;
• возможны две конфигурации драйверов – с раздельными выводами Sink/Source и с функцией защиты от эффекта Миллера;
• иммунитет к помехам до ±100 В/нс;
• встроенная защита от пониженного напряжения (UVLO),
• корпус SOIC-8.

Целевые применения

• инверторы для электропривода;
• сварочные системы;
• альтернативная энергетика;
• системы индукционного нагрева;
• системы бесперебойного питания;
• промышленные источники электропитания;
• корректоры коэффициента мощности.

Варианты конфигураций STGAP2S

Источник: www.compel.ru