Архив : 20 Декабрь 2013 год

Компания International Rectifier предлагает широкую линейку эффективных 600 В IGBT, выполненных по Field-Stop Trench технологии (шестое поколение кремниевой технологии – Gen6) и поставляемых в корпусах для SMD-монтажа: D-PAK и D2-PAK.

Транзисторы обеспечивают высокую плотность мощности и КПД на высоких частотах коммутации – спецификация ultrafast подразумевает диапазон рабочих частот от 8 до 30 кГц. Все IGBT в линейке имеют встроенный антипараллельный диод, что позволяет уменьшить габариты конечного устройства за счет исключения внешнего диода в отдельном корпусе.
Малые значения температурного сопротивления кристалл-корпуса вкупе с низкими значениями Vce(on) обеспечивают рабочий ток транзисторов до 24 А при температуре корпуса 100°C. Это позволяет, во многих случаях, полностью отказаться от радиатора и отводить тепло исключительно на поверхность печатной платы. Квадратная форма зоны работы при обратном смещении (BRSOA), высокая (175°C) допустимая рабочая температура кристалла и 5 мкс область безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) обеспечивают транзисторам повышенную надежность в жестких условиях эксплуатации.

Обозначенные IGBT идеально подходят для применения в составе выходных полумостов, корректоров коэффициента мощности (ККМ) и зарядных устройств. Подобные схемы являются частью систем бесперебойного электропитания (UPS), систем электропривода промышленного и потребительского сегментов, а также промышленных систем общего назначения.

Источник: compel.ru