Архив : 21 Апрель 2005 год

Компания Honeywell анонсировала новую серию ультразвуковых датчиков 941-D, предназначенных для индустриальных применений.

Датчики предназначены для определения уровня наполненности, определения присутствия печатных плат и пластин в электронной промышленности, предотвращения столкновений. Ультразвуковые датчики имеют ряд преимуществ, по сравнению с индуктивными датчиками они имеют более широкий диапазон сканирования. В отличие от фотоэлектрических датчиков, ультразвуковые детекторы не подвержены воздействию пыли, света и цвета. Датчики с бесконтактным принципом измерений более надежны, чем электромеханические датчики и более экономичны по сравнению с лазерными технологиями измерений.

Единственный недостаток ультразвуковых датчиков предыдущих поколений – сложность инсталляции и настройки. Но теперь посредством режима teach-in пользователь может установить требуемый уровень выходного сигнала срабатывания или пределы аналогового сигнала.

Корпус датчиков имеет защитное эпоксидное покрытие, соответствующее классу защиты IP 67, благодаря этому датчики серии 941-D могут быть использованы во влажных или химически агрессивных средах.

Наличие настройки гистерезиса и Windows интерфейс делают ультразвуковые датчики Honeywell серии 941-D прекрасной заменой дорогим программируемым устройствам.

Описание

-легкость инсталляции – teach-in конфигурирование с помощью одной кнопки
-светодиодная индикация: 4 светодиода информируют о рабочем состоянии напряжения питания, ECHO и двух настроек (или амплитуды аналогового сигнала)
-соответствуют всем индустриальным требованиям: для переключающих моделей доступен режим гистерезиса и Windows
-диапазон измерений до 35 см, значительно сокращена "мертвая" зона
-компактный корпус: толщина корпуса составляет 32 мм
-аналоговый сигнал срабатывания (по току или напряжению), NPN или PNP
-возможна синхронизация выхода, необходима при монтаже нескольких датчиков во избежание помех
-стандарты соответствия: CE, UL/CSA
-крепежные отверстия 20-22 мм.

Область применения

-измерение диаметра бабин в текстильной, бумажной, металлообрабатывающей промышленности и в цехах упаковки изделий
-измерение высоты и определение присутствия в автомобильной, металлообрабатывающей, печатной промышленности, на дистрибутивных складах, в пищевой промышленности и в цехах розлива
защиты от столкновений, определение присутствия движущихся объектов, поддержание минимальное расстояния между двумя объектами
-контроль провисания ленточных конвейеров в текстильной, бумаго- и металлообрабатывающей промышленности, в цехах упаковки готовых изделий
-определение наполненности резервуаров.

Источник:Платан

Гвадалахара (Мексика) с недавних пор стала горячей точкой по производству и разработке услуг по промышленной электронике, согласно свежему исследованию Technology Forecasters Inc. в Аламейде (Калифорния).

Очевидно, что многие американские компании скоро потянуться туда. "Они говорят, что Гвадалахара стала мексиканской Кремниевой Долиной" - сказал Эрик Мисколл, старший консультант в Technology Forecasters Inc. Согласно секретариату экономики Мексики, на данный момент в Гвадалахаре существует порядка 700 компаний-разработчиков. Среди них такие компании, как IBM, НР, Flextronics, Solectron и Benchmark. При этом правительство Мексики предлагает 30 процентную налоговую скидку для компаний, которые занимаются разработкой новых технологий.

Для примера, GE Engines имеют 600 инженеров, работающих в Гвадалахаре, Delphi имеет их около 2200. В прошлом, наиболее большие разработки в Мексике были связаны с производством. За прошлые три года, однако, там был сделан уклон на разработку проектов. Эрик Мисколл отмечает, что Мексика приобрела репутацию технического центра. Siemens отправил пару инженеров с Мексики в Детройт и в последнем сказали: "Пришлите нам больше таких ребят!". Мисколл отмечает, что прошло несколько лет, пока американские изготовители привыкли к идее, что Мексика- это новый центр разработки проектов. "Талант там был, но не было возможности показать это", - сказал Мисколл, добавляя, что ведущие провайдеры признали, что Мексика воспитала хороших инженеров. "Тем более, что трудовая норма для разработки услуг по Мексике составляет 15-20 USD за час, в сравнении с 70 USD для эквивалентной работы в Соединенных Штатах.

Источник:Радиолоцман

Выяснилось, что противоугонные микрочипы в автомобильных ключах довольно легко взломать. Об этом сообщили исследователи из США после того, как они вскрыли код в течение двух часов.

Исследователи из Университета Джона Хопкинса взломали код беспроволочного противоугонного микрочипа, не используя автомобильные ключи. Сегодня широко используются, выпускаемые производителем Техас Инструмент (ТI), около 150 млн. таких микросхем. Поэтому команда исследователей под руководством проф. Ави Рубин попыталась обнаружить слабые места в этой противоугонной системе.

Учёные воспользовались техникой хакеров, которую те практикуют при взламывании кода радиочастотной идентификации чипов (RFID). Система, которую обследовали учёные, делится на две части. Одна часть – это чип – преобразователь, вделанный в автомобильный ключ, а вторая – считыватель, находящийся внутри автомобиля и связанный с системой впрыска топлива.

Если считыватель в автомобиле не распознает ключевой чип, автомобиль не начнёт движение, даже если ключ будет “родной”. Считыватель распознаёт свой ключ с помощью, т.наз., протокола вызова-ответа. Когда этот автомобильный ключ находится поблизости, считыватель посылает произвольный ряд единиц и нулей, и тем самым активируют ключевой чип. В ответ ключевой чип посылает цифровое послание, а считыватель оценивает достоверность получаемой информации. Исследователи нашли способ расшифровки математической программы, которая используется для идентификации ключа, после чего вскрыли противоугонную систему без ключа. Таким образом, исследователи выявили “ дырку” в TI противоугонной системе.“Мы полагаем, что если бы учёные не обратили внимание разработчиков на слабые места в этой системе, угонщики могли бы сами их обнаружить и воспользоваться ими. Наша роль в проверке TI системы безопасности аналогична той, которую выполняет надпись на продукте, предупреждающая потенциального потребителя, например, о риске возгорания в кофеварке”. “Информируя потребителя и производителя о возможных проблемах с продукцией, мы рассчитываем помочь последним улучшить качество товаров”.

Источник:sciteclibrary

Высокоэффективный чипсет для телекоммуникационных DC/DCc конверторов на базе 100-вольтовых моп-транзисторов DIRECTFET™ и мостового контроллера IR2086S

Корпорация International Rectifier анонсировала новый чипсет для источников питания телекоммуникационного оборудования, питаемых от универсальной телекоммуникационной шины (напряжение от 36 до 75 В) или 48 В сети постоянного тока. Разработанный для применения в DC/DC конверторах с изолированной или неизолированной структурой, новый чипсет повышает технические характеристики как понижающих конверторов мощностью до 220 Вт с 48 В входом, так и источников питания радиоусилителей базовых станций радиорелейных линий.

Новый оптимизированный чипсет, состоящий из силовых МОП-транзисторов DirectFET™ новой серии и новой ИС контроллера IR2086S, разработан для применения в конверторах с двумя основными топологиями, применяемыми в источниках питания сетевого и телекоммуникационного оборудования. ИС контроллера IR2086S упрощает реализацию изолированных DC/DC конверторов с мостовой топологией первичных цепей. Эта ИС специально оптимизирована для применения в понижающих конверторах напряжения стандартных шин постоянного тока, использующих автогенераторные схемы с фиксированной 50% скважностью ШИМ. Она позволяет на 50% уменьшить площадь печатной платы по сравнению со стандартными промышленными 1/4 Brick конверторами и снизить число компонентов на 60%. Применяемый в схеме IR2086S конденсатор мягкого старта обеспечивает постепенное увеличение скважности до 50% за 2000 циклов переключения для ограничения бросков тока при старте, а также обеспечивает одинаковую ширину импульсов в МОП-транзисторах верхнего и нижнего уровня моста в режиме старта.

Другими особенностями ИС являются ограничение выходного тока драйвера на уровне ±1.2 A для ограничения тока в транзисторах и регулируемая пауза на переключение в диапазоне от 50 нс до 200 нс для защиты от сквозных токов, а также программируемая до 500 кГц частота переключения. В чипсет также входят 4 новых МОП-транзистора DirectFET MOSFETs, 100-вольтовые IRF6644 и IRF6655 и 40-вольтовые IRF6613 и IRF6614. Объединение в них новейшей trench технологии производства кристалла и технологии корпусирования DirectFET обеспечивает существенное улучшение основных характеристик транзисторов, таких, как сопротивление канала в открытом состоянии и заряд затвора. Усилительный каскад типовой базовой станции к примеру должен питаться от стабилизированной шины постоянного тока с напряжением 28 В, в то время как входное напряжение пттания изменяется в широких пределах от 36 до 75В.

Новые транзисторы DirectFET MOSFET и ИС контроллера обеспечивают реализацию высокоэффективного (КПД 92.5% при полной нагрузке, выходном напряжении 28 В и мощности 250 Вт) конвертора с двухступенчатым преобразованием. В первой ступени применяются транзисторы IRF6655 и IRF6644 и неизолированная топология конвертора для получения регулируемого промежуточного напряжения. Она следует следующая за простым мостовым конвертором с постоянной скважностью переключения в первичной цепи, где применяются IR2086S и IRF6614 в первичной цепи и IRF6644 во вторичной цепи для самоуправляемого синхронного выпрямления. Такой подход устраняет сложную схему управления выходным каскадом, которая необходима в случае одноступенчатого преобразования. Присущая конвертору шины скважность 50% позволяет применять 100-вольтовые МОП-транзисторы во вторичной цепи вместо 150- или 200-вольтовых, что обеспечивае рост КПД до 2%. Новый 100-вольтовый транзистор IRF6644 может также обеспечить достижение КПД до 95.7% при полной нагрузке в конверторе шины 48 В мощностью 220 Вт (выходное напряжение 8 В и ток 27.5 A), широко применяемом в сетевом оборудовании и high-end компьютерах. По сравнению со схожими устройствами, где применяются 100-вольтовые МОП-транзисторы в корпусе SO-8, это дает возможность поднять КПД на 1% и на 40°C понизить температуру транзистора. Такое значительное снижение температуры корпуса устраняет необходимость применения нескольких параллельно соединенных транзисторов для повышения тока.

IRF6644 обеспечивает повышение на 46% выходной мощности и гораздо лучший баланс между температурами входных и выходных цепей конвертора. По сравнению с конкурентными приборами с равноценным зарядом затвора IRF6644 имеет на 48% меньшее сопротивление канала. По комплексному критерию оценки качества, учитывающему как сопротивление канала в открытом состоянии так и заряд затвора, IRF6644 имеет приемущество до 45% по сравнению с конкурирующими приборами и заменяет два параллельно соединенных конкурентных транзистора с минимальным зарядом затвора и эквивалентным сопротивлением канала. В зависимости от величины выходного напряжения в схеме синхронного выпрямления выходных каскадов можно применять 40-вольтовый транзистор IRF6613 вместо 30-вольтовых. При этом КПД снижается всего на 1%, но повышается запас по напряжению сток-исток более чем на 30%. 100-вольтовые транзисторы IRF6644, IRF6655 нормированы на максимальное сопротивление канала 13 и 60 мОм соответственно. Типовой заряд затвора и заряд затвор-сток этих транзисторов составляют 33 нК, 11 нК и 8 нК, 2.9 нК соответственно. 40-вольтовые IRF6613, IRF6614 нормированы на максимальное сопротивление канала 3.4мОм и 8.2мОм, а их заряды затвора и заряды затвор/сток на величины 42 нК, 12.8 нК и 16 нК, 5 нК соответственно.

Транзисторы IRF6614, IRF6613 выпускаются в корпусе DirectFET среднего типоразмера, транзисторы IRF6655, IRF6614 – в корпусе DirectFET наименьшего типоразмера. ИС IR2086S выпускается в корпусе SO-16.

Источник:Платан