Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Trench) и представляют собой Trench MOSFET с экранированным затвором.
В них улучшены такие характеристики, как:
- напряжение пробоя "сток-исток" V(BR)DSS;
- сопротивление открытого канала RDS(on);
- общий заряд затвора Qg;
- защита от скачка тока при включении.
Серии N80V-N85V предлагаются в корпусах TO-220, TO-203, TO-252, PDFN5060 и ряде других (рисунок 1).
Рис. 1. Варианты корпусных исполнений транзисторов N80V-N85V
Ключевые особенности (таблица 1):
- использование технологии SGT позволяет получить малое значение RDS(on), что сказывается на показателе FOM (Rdson×Qg) и уменьшает потери энергии при переключении транзистора;
- оптимизирован параметр Ciss/Qs (отношение входной емкости к заряду затвора), что дает свободу в выборе ИС-драйвера затвора;
- увеличена устойчивость транзистора к воздействию нештатных режимов работы, в частности к лавинному пробою.
Целевые области применения:
- системы управления батареями аккумуляторов (BMS);
- инверторные источники питания;
- управление электромоторами;
- системы быстрой зарядки (PD power supply).
Таблица 1. Основные электрические характеристики N80V-N85V
Наименование | Корпус | V(BR)DSS, В | Io, A | Vgs, В | R dson при Vds = 10 В, мОм | Qg, нКл |
YJG100G08A | PDFN5060 | 80 | 100 | 3 | 3,6 | 73 |
YJG100G08E | PDFN5060 | 80 | 100 | 1,8 | 3,6 | 90 |
YJD110G08A | TO-252 | 80 | 110 | 1,8 | 4,2 | 95 |
YJP120G08A | TO-220 | 80 | 120 | 3 | 3,9 | 73 |
YJB120G08A | TO-263 | 80 | 120 | 3 | 3,6 | 73 |
YJP118G08H | TO-220 | 85 | 118 | 3 | 5 | 62 |
YJB118G08H | TO-263 | 85 | 118 | 3 | 4,5 | 63 |
Источник: www.compel.ru