Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Trench) и представляют собой Trench MOSFET с экранированным затвором.

В них улучшены такие характеристики, как:

напряжение пробоя "сток-исток" V_(BR)DSS;

сопротивление открытого канала R_DS(on);

общий заряд затвора Q_g;

защита от скачка тока при включении.

Серии N80V-N85V предлагаются в корпусах TO-220, TO-203, TO-252, PDFN5060 и ряде других (рисунок 1).

Рис. 1. Варианты корпусных исполнений транзисторов N80V-N85V

Ключевые особенности (таблица 1):

использование технологии SGT позволяет получить малое значение R_DS(on), что сказывается на показателе FOM (R_dson×Q_g) и уменьшает потери энергии при переключении транзистора;

оптимизирован параметр C_iss/Q_s (отношение входной емкости к заряду затвора), что дает свободу в выборе ИС-драйвера затвора;

увеличена устойчивость транзистора к воздействию нештатных режимов работы, в частности к лавинному пробою.

Целевые области применения:

системы управления батареями аккумуляторов (BMS);

инверторные источники питания;

управление электромоторами;

системы быстрой зарядки (PD power supply).

Таблица 1. Основные электрические характеристики N80V-N85V

Наименование	Корпус	V_(BR)DSS, В	I_o, A	V_gs, В	R _dson при Vds = 10 В, мОм	Q_g, нКл
YJG100G08A	PDFN5060	80	100	3	3,6	73
YJG100G08E	PDFN5060	80	100	1,8	3,6	90
YJD110G08A	TO-252	80	110	1,8	4,2	95
YJP120G08A	TO-220	80	120	3	3,9	73
YJB120G08A	TO-263	80	120	3	3,6	73
YJP118G08H	TO-220	85	118	3	5	62
YJB118G08H	TO-263	85	118	3	4,5	63

RadioRadar - Радиоэлектроника, даташиты, схемы

https://www.radioradar.net/news/electronics_news/yangjie_n_channel_sgt_fet_n80v_n85v.html

Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V