Компания Wolfspeed (CREE POWER) пополнила семейство 1200 В SiC диодов Шоттки, представив диоды нового поколения C4D в корпусе TO-247-2 на номинальные токи 10 А (C4D10120H), 15 А (C4D15120H) и 20 А (C4D20120H). Данный корпус отличается увеличенным изоляционным расстоянием между анодом и катодом, что позволяет использовать его в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения. Длина пути тока утечки по поверхности между выводами составляет величину не меньшую, чем 8 мм, что в 2 и 2,5 раза больше, чем в корпусах TO-247-3 и TO-220-2, соответственно.
В новом поколении карбид-кремниевых диодов Шоттки компании Wolfspeed (CREE POWER) применена технология MPS (Merged PiN Shottky). Благодаря наличию изолированных p+ областей вблизи барьера Шоттки, представляющих собой PiN диоды, удалось снизить токи утечки и повысить стойкость к импульсным перегрузкам по току.
MPS структура диода Шоттки и пути протекания тока
Как видно из рисунка ниже, диод без MPS при повышении тока постепенно переходит в насыщение, т.е. при малом приросте прямого тока напряжение на диоде быстро возрастает, что в конечном счете приводит к тепловому пробою. В диоде с MPS структурой при достижении определенного критического значения прямого тока открываются встроенные PiN диоды, забирая на себя большую часть импульсного тока. Таким образом, повышается стойкость новых приборов к импульсным перегрузкам по току.
Особенности 1200 В SiC диодов Шоттки поколения C4D в корпусах TO-247-2
- Увеличенное изоляционное расстояние между выводами;
- Применение в условиях загрязненных сред или устройствах уличного исполнения;
- Высокая частота коммутации;
- Положительный температурный коэффициент Vf;
- Низкие токи утечки и высокая стойкость к импульсным перегрузкам по току.
ВАХ диода с структурой MPS и без нее при воздействии импульсных токов
Целевые применения
- Промышленные импульсные источники питания (PFC, AC/DC, DC/DC);
- Зарядные станции для электротранспорта и бортовые зарядные устройства;
- Инверторы для солнечной энергетики.
Источник: www.compel.ru