Новейшей микросхемой в V- семействе F-RAM микросхем компании Ramtron является FM28V100, параллельное энергонезависимое ОЗУ в 32-выводном TSOP-I-корпусе емкостью 1Мб, с напряжением питания от 2,.0В до 3,6В, которое имеет быстрое время доступа, запись NoDelay, теоретически неограниченное число циклов чтения/записи и низкое потребление энергии. FM28V100 может служить идеальной заменой микросхемам 1Мб ОЗУ с батарейной поддержкой памяти в аппаратуре промышленного управления, измерительных, медицинских, автомобильных, военных, игровых, компьютерных приложениях и множестве других областей. Кроме FM28V100, компания Ramtron недавно анонсировала 512Kб FM25V05 и 1Mб FM25V10 последовательные SPI-микросхемы V-семейства.
FM28V100 - энергонезависимая ферроэлектрическая память с организацией 128x8К и произвольным доступом (F-RAM), которая читается и записывается кок обычное ОЗУ, но при отключении питания данные в ней сохраняются. FM28V100 обеспечивает время хранения данных более 10 лет, исключая при этом проблемы с надежностью, ухудшение характеристик и сложность конструкции связанных с использованием ОЗУ с батарейной поддержкой (BBSRAM). Исключение из конструкции аппаратуры батарейки позволяет системе работать в более широком температурном диапазоне и уменьшает вред для окружающей среды. Быстрое время записи и теоретически неограниченный ресурс дает F-RAM преимущество над другими видами памяти. При работе в системе FM28V100 работает аналогична другим микросхемам ОЗУ, что дает возможность прямой замены стандартных микросхем ОЗУ без внесения каких либо изменений в конструкцию.
Циклы чтения и записи могут запускаться переключением состояния вывода разрешения работы микросхемы или просто при смене адреса. Память F-RAM является энергонезависимой, благодаря уникальной технологии ферроэлектрической памяти, которая идеально подходит для приложений с энергонезависимой памятью, требующих частой и быстрой записи. Микросхема работает в полном промышленном температурном диапазоне от -40°C до +85°C. V-семейство F-RAM- микросхем компании Ramtron создано по передовой 130нм КМОП-технологии производства, разработанной компаниями Ramtron и Texas Instruments, которая обеспечивает улучшение характеристик микросхем, включая характеристики памяти. Благодаря выпуску FM28V100, время цикла параллельной 1Мб памяти было уменьшено со 150нс до 90нс - улучшение на 60%, по сравнению с ранее выпускавшимися компанией Ramtron 1Мб параллельными микросхемами памяти.
SPI и I2C-последовательные микросхемы V-семейства обеспечивают двух-трехкратное улучшение параметров чтения записи, по сравнению с существующими последовательными микросхемами F-RAM компании Ramtron. Благодаря улучшениям, которые стали возможными благодаря 130нм F-RAM-технологии производства компании Texas Instruments, V-семейство F-RAM обладает возможностью работы при сниженном до 2,0В напряжении питания, что позволяет F-RAM работать от общего напряжения питания в большем числе электронных систем. Микросхемы F-RAM V-семейства имеют программную защиту от записи. Блок памяти разбит на восемь областей одинакового размера, каждый из которых независимо может быть защищен от записи программным способом без изменения аппаратной части. Номер микросхемы: последовательные F-RAM-микросхемы памяти V-семейства содержат 24-битный номер микросхемы, уникальный среди продуктов компании Ramtron для защиты от незаконного копирования аппаратуры.
Последовательные F-RAM микросхемы V-семейства могут быть заказаны с 64-битным серийным номером, состоящим из 16-битного идентификатора потребителя, 40-битного уникального номера и 8-битной циклической контрольной суммы, для систем в которых нужен уникальный электронный номер. В последовательных F-RAM-микросхемах V-семейства доступны различные напряжения сброса от 2,14В до 3,09В.
Источник: terraelectronica.ru