на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Микросхемы последовательной EEPROM-памяти ST демонстрируют увеличение скорости о

Новости электроники
16 лет назад

Микросхемы последовательной EEPROM-памяти ST демонстрируют увеличение скорости обмена


Компания STMicroelectronics представила 1МГц двухпроводные последовательные микросхемы EEPROM-памяти с емкостью 256Kбит, 512Kбит и 1Mбит, совместимые с режимом Fast-Mode-Plus шины I2C, который обеспечивает обмен данными в 2,5 раза быстрее, по сравнению с режимом  шины Fast-Mode.

Работая на частоте 1МГц, M24M01-HR способна осуществить передачу 1Мбит данных за 1сек, M24256-BHR – 256Кбит за 0,25сек и M24512-HR - 512Кбит за 0,5сек. Двухпроводные последовательные EEPROM-микросхемы поддерживают множество режимов доступа, включая режим записи байта, а так же режимы записи страницы размером 64, 128 и 256байт, режимы последовательного и произвольного считывания, автоматический инкремент адреса. Кроме упрощения процесса проектирования, эти режимы помогают инженерам оптимизировать производительность системы и потребление энергии. В микросхемах имеется вход управления записью, а три вывода выбора микросхемы позволяют подключить до восьми микросхем памяти к одной шине. Так же, для упрощения проектирования низковольтных или стандартных систем, все три микросхемы, 256, 512 и 1Мбит, имеют исполнения, работающие от напряжения питания 1,8…5,5 или 2,5…5,5В.

Передовой технологический процесс производства компании ST обеспечил получение преимуществ быстрой работы с частотой 1МГц при конкурентной цене и выбор трех миниатюрных корпусов для поверхностного монтажа, включая TSSOP8 и 3,8мм шириной SO-8. Высота корпусов составляет 1,2 и 1,75мм.

 

Источник: terraelectronica.ru


Другие новости ...