Компания Texas Instruments расширяет свое семейство транзисторов NexFET™, которые характеризуются крайне низкими потерями на проводимость и на управление.
Новый транзистор CSD19531KCS отличается низким значением заряда затвора – всего 37 нК и высоким пиковым током 122 A. Сочетание этих параметров позволяют с успехом применять этот силовой прибор в первичных и вторичных устройствах преобразования энергии с синхронным выпрямлением, солнечных инверторах и приложениях для управления двигателями.
Харатеристики CSD19531KCS
Характеристики CSD19531KCS
Транзистор выпускается в стандартном корпусе TO-220 и имеет низкое значение теплового сопротивления 0.7°C/W. MOSFET может работать при температуре перехода от -55 до +175°С.
Основные параметры:
Максимальное рабочее напряжение (Uси): 100 В;
Максимальное напряжение затвора: 20 В;
Заряд затвора Qgd 7.5 нКл ; Qg: 37 нКл;
Сопротивление открытого канала:
6.4 мОм при 10 В;
7.3 мОм при 6 В;
Пороговое напряжение затвора: 2.7 В;
Тепловое сопротивление: 0.7°C/W;
Корпус TO-220.
Источник: compel.ru