Компания Infineon представила новую линейку высоковольтных транзисторов MOSFET CoolMOS PFD7 600 В, которые устанавливают новый стандарт для технологии Super Junction и являются прекрасным решением для использования в приложениях с высокой плотностью мощности, таких как маломощные электродвигатели.
Высоковольтные N-канальные MOSFET PFD7 сочетают в себе лучшую в своем классе производительность и простоту использования, основанную на более чем 20-летнем опыте Infineon в области Super Junction. Транзисторы линейки PFD7 поставляются в компактных корпусах PG-TO220-3 и PG-TO252-3 с внутренним диодом, что обеспечивает дополнительную надежность устройства и сокращает спецификацию при построении схем.
Особенности:
- Высокая надежность и низкие потери на переключение;
- Наличие внутреннего диода (body diode);
- Устойчивость к ESD > 2 кВ (HBM);
- Лучшие в своем классе показатели RDS(on);
- Компактные размеры корпусов (PG-TO220-3 и PG-TO252-3);
- Широкий спектр применений.
Области применения:
- Драйверы LED;
- Зарядные устройства;
- Адаптеры питания;
- Солнечные инверторы;
- Серверные решения.
Пример использования транзисторов линейки PFD7 для управления маломощным электродвигателем
Наименование | Ток стока @ 25°C | Rds(on) @ 25°C | Корпус |
IPAN60R125PFD7S | 25 | 0.125 | PG-TO220-3 |
IPAN60R210PFD7S | 16 | 0.21 | PG-TO220-3 |
IPAN60R280PFD7S | 12 | 0.28 | PG-TO220-3 |
IPAN60R360PFD7S | 10 | 0.36 | PG-TO220-3 |
IPD60R1K0PFD7S | 4.7 | 1.0 | PG-TO252-3 |
IPD60R1K5PFD7S | 3.6 | 1.5 | PG-TO252-3 |
IPD60R210PFD7S | 16 | 0.21 | PG-TO252-3 |
IPD60R280PFD7S | 12 | 0.28 | PG-TO252-3 |
IPD60R2K0PFD7S | 3 | 2.0 | PG-TO252-3 |
IPD60R360PFD7S | 10 | 0.36 | PG-TO252-3 |
IPD60R600PFD7S | 6 | 0.6 | PG-TO252-3 |
Источник: www.compel.ru