Новости электроники
Архив : 9 Февраль 2021 год
Компания MEAN WELL разработала семейство источников питания с возможностью кратковременной безопасной работы при мощности в 2,5 раза выше номинальной (до 5 секунд).
Новое семейство состоит из трех серий: HRP-150N, HRP-300N и HRP-600N с номинальной мощностью 150, 300 и 600 Вт, соответственно. Кроме того, источники питания обладают отличной функциональной насыщенностью: имеют каскад коррекции мощности (ККМ; PFC>0,95), возможность компенсации падения напряжения на проводах, возможность дистанционного включения-выключения, устойчивы к повышенному до 300 В входному напряжению (до 5 секунд) и имеют сигнал "DC Ok" для контроля выходного напряжения. При всем этом данные источники питания работоспособны в температурном диапазоне -40…70ºС и обладают эффективностью на уровне 89%.
Данное семейство источников питания востребовано в промышленных установках с использованием электродвигателей или с емкостной нагрузкой. В момент пуска указанная нагрузка потребляет повышенную мощность, поэтому для обеспечения нормального запуска приходится выбирать более мощный источник питания. В дальнейшей работе после запуска мощность этого источника уже не используется и является избыточной. Поэтому, применяя новые источники питания HRP/N, можно избавиться от избыточности и получить экономический выигрыш. Гарантийный срок на рассматриваемые источники питания составляет 5 лет.
Источник: www.compel.ru
Wolfspeed (силовое подразделение CREE) расширяет лидерство в сегменте дискретных SiC MOSFET на напряжение 650 В. В массовое производство поступили новые изделия (третье поколение) с сопротивлениями 25, 40 и 120 мОм. Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM) – это широкий выбор транзисторов по сопротивлению открытого канала (Rds(on)), а также наименьшее среди аналогов сопротивление канала в дискретном выводном корпусе
Новые транзисторы будут выпускаться в стандартных для отрасли выводных корпусах (TO-247-3 и TO-247-4), а C3M0120065J – также в SMD-корпусе TO-263-7.
Технические особенности:
- Третье поколение SiC MOSFET (C3MTM);
- Превосходные параметры устройства на системном уровне;
- Работа на высоких частотах (свыше 200 кГц);
- Надёжный антипараллельный диод с малым временем обратного восстановления;
- Малые значения паразитных емкостей;
- Стандартные для отрасли корпуса (TO-247-3, TO-247-4, TO-263-7);
Целевые применения:
- Серверные источники питания;
- Зарядные устройства;
- Системы бесперебойного питания;
- Инверторы для солнечной энергетики;
Источник: www.compel.ru