Архив : 4 Август 2018 год

Компания Wolfspeed (CREE POWER) продолжает расширять семейство SiC MOSFET третьего поколения C3M, представив транзисторы на 1200 В с сопротивлением канала 75 мОм в корпусах TO-247-4L (C3M0075120K) и TO-263-7L (C3M0075120J).

Приборы оснащены дополнительным выводом эмиттера (т.н. вывод Кельвина), благодаря чему коммутационные потери могут быть значительно снижены. Как видно из рисунка ниже, потери на включение транзистора в трехвыводном корпусе TO-247 и (как следствие) общие динамические потери сильно зависят от тока сток-исток.

Применяя корпуса TO-247-4L и TO-263-7L, можно добиться значительного снижения мощности потерь, особенно, при работе в номинальном режиме. Кроме того, у данных корпусов увеличен изоляционный промежуток между силовыми выводами сток-исток, что позволяет использовать приборы в условиях повышенной загрязнённости среды.

Новое третье поколение чипов C3M™ отличается меньшим размеров полупроводниковой ячейки, что позволяет снизить сопротивление канала, а также цену конечного продукта. Кроме того, теперь для включения транзистора достаточно напряжения +15 В, что дает возможность использования для управления MOSFET широкой номенклатуры стандартных драйверов. Также была значительно улучшена температурная стабильность сопротивления канала, т.о. позволяя снизить статические потери в рабочем режиме транзистора.

Зависимость коммутационных потерь от тока сток-исток для корпусов TO-247 и TO-247-4L

Основные преимущества SiC MOSFET поколения C3M

Особенности 1200 В SiC MOSFET в корпусах TO-247-4L и TO-263-7L

• Новое поколение кристаллов C3M;
• Корпус с дополнительным выводом истока;
• Увеличенный изоляционный промежуток между стоком и истоком;
• Высокая скорость коммутации и низкие значения паразитных емкостей;
• Быстрый встроенный диод с малым временем обратного восстановления Qrr;
• Малая температурная зависимость Rds(on).

Целевые применения

• Импульсные источники питания;
• Высоковольтные DC/DC преобразователи;
• Зарядные устройства;
• Преобразователи для возобновляемых источников энергии.

Источник: www.compel.ru

Компания Texas Instruments представила новые линейные аналоговые датчики Холла DRV505x с ратиометрическим выходом, т.е. с абсолютным значением выходного напряжения зависящим как от величины магнитного поля, так и от  напряжения питания. Точность измерения составляет ±2.5%. Датчики выпускаются в корпусах SOT-23 и TO-92 и имеют встроенную температурную компенсацию магнитной чувствительности. Датчики работают в температурном диапазоне от -40°C до +125°C и потребляют ток 6 мА.

Датчик DRV5055 является биполярным, реагирующим на любой полюс магнита. При отсутствии магнитного поля, напряжение на выходе датчика равно половине напряжения питания. При приближении южного полюса магнита выходное напряжение увеличивается, при приближении северного - уменьшается. Напряжение на выходе имеет линейную зависимость от магнитного поля, что позволяет использовать DRV5055 в устройствах прецизионного позиционирования или для измерения силы тока. В зависимости от версии микросхемы, можно выбрать один из 4 уровней чувствительности:

• A1: 100 mV/mT, ±21-mT Range
• A2: 50 mV/mT, ±42-mT Range
• A3: 25 mV/mT, ±85-mT Range
• A4: 12.5 mV/mT, ±169-mT Range

Датчик Холла DRV5056 является униполярным, т.е. реагирует только на южный полюс магнита. При приближении южного полюса напряжение на его выходе линейно изменяется от 0.6 В до напряжения питания, которое может быть равным 3.3 или 5 В.

К выпуску планируются автомобильные версии этих датчиков (DRV5055-Q1, DRV5056-Q1), у которых верхняя граница рабочего температурного диапазона будет достигать +150°C.

Блок-схема датчика Холла DRV5056

Источник: www.compel.ru

Компания ST Microelectronics представила новый цифровой контроллер передатчика STWBC-EP для беспроводной зарядки аккумуляторов. Микросхема соответствует международному стандарту передачи энергии Qi WPC 1.2.3, который обеспечивает до 15 Вт мощности на стороне приёмного устройства.

В то время, как беспроводная передачи энергии становится уже привычным явлением в повседневной жизни и количество мобильных устройств стремительно растёт, а вместе с ними растёт и потребляемая энергия, то привычной мощности заряда 5 Вт уже не хватает, чтобы обеспечить растущие потребности в энергии. Именно поэтому новое решение STWBC-EP от ST послужит отличным решением, которое удовлетворяет растущим требованиям современности. Стоит также отметить, что микросхема полностью соответствует стандарту Qi Extended Power Profile без ущерба в энергоэффективности, безопасности и удобстве пользования.

Для микросхемы STWBC-EP доступна отладочная плата STEVAL-ISB44V1. Управление отладочной платой осуществляется через графический интерфейс пользователя GUI (Graphical User Interface). Скачать GUI можно с сайта www.st.com.

Отладочная плата передатчика STEVAL-ISB044V1

Технические параметры

• Патентованное решение по определению инородных объектов (FOD);
• Малые потери в режиме ожидания – всего 16 мВт;
• Возможет КПД передачи более 80% в рабочих условиях;
• Контроль тока и напряжения для точного регулирования передачи мощности;
• Патентованный алгоритм для надёжной демодуляции сигнала;
• Открытый интерфейс UART для мониторинга системы через GUI или CPU;
• Сигнализация двумя LED;
• Flash-память 32 кБ;
• Возможно исполнение на 2-слойной печатной плате;
• Корпус QFN32 (5×5 мм).

Блок-схема системы беспроводной передачи энергии

Источник: www.compel.ru