Архив : 23 Июль 2018 год

Резонансные источники питания (ИП) занимают все большую долю рынка. Именно для таких применений предназначена новая серия 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Транзисторы представлены как в выводных (TO-220, TO-220 FP, TO-247), так и SMD (DPAK, ThinPack 8×8, а к концу года и D2PAK) корпусах в широком диапазоне RDS(on) от 18 до 360 мОм, что позволяет построить ИП от нескольких сотен Вт до нескольких кВт.

Как видно из рисунка, новое поколение транзисторов предлагает самый низкий из существующих на данный момент Qrr, что особенно важно при работе в резонансных схемах LLC или ZVS Phase-Shift. Кроме того, заряд затвора QG был снижен на 55 % относительно предыдущего поколения приборов, что позволяет поднять КПД на малых нагрузках и работать на частотах выше 100 кГц.

Описанные выше преимущества можно оценить по графику КПД для ZVS Phase-Shift преобразователя мощностью 2 кВт. Из рисунка видно, что MOSFET CoolMOS™ CFD7  дают  наибольшее преимущество на малых нагрузках. Тем не менее, даже выигрыш в 0,2% в КПД – это снижение мощности потерь на 4 Вт в случае ИП на 2 кВт.

Заряд обратного восстановления встроенного диода для 600 V CoolMOS™ CFD7 и ближайших конкурентов

Сравнение КПД ИП мощностью 2 кВт, построенного по топологии ZVS Phase-Shift, с различными MOSFET

Особенности линейки 600 В MOSFET CoolMOS™ CFD7:

• встроенный быстрый диод с лучшим в классе Qrr;
• стойкость к высоким dv/dt и di/dt встроенного диода;
• лучшее в классе соотношение RDS(on) x QG и EOSS;
• широкая номенклатура корпусов и RDS(on);
• предназначены для работы в резонансных топологиях.

Целевые применения

• Высокоэффективные резонансные импульсные источники питания;
• Зарядные устройства.

Источник: www.compel.ru