Архив : 28 Июнь 2018 год

CoolSiC™ G6 - новое (шестое) поколение SiC диодов Шоттки от компании Infineon. Диоды рассчитаны на максимальное напряжение 650 В и доступны в корпусах TO-220 real2pin. До конца года компания планирует расширить семейство CoolSiC™ G6 и другими корпусами.

Новая технология позволяет использовать в производстве более тонкую полупроводниковую пластину, в результате чего значительно снижается прямое падение напряжения на диоде в проводящем состоянии (V_f=1,25 В при T_C=25 °C). При этом показатель FOM Q_CxV_f данных диодов остается лучшим в своем классе.

График зависимости прямого падения напряжения от тока через диод для поколений G5 и G6

Также снижение Vf в новых диодах делает возможным замену, например, 8 А диода поколения G5 на 6 А диод поколения G6. При экономии на стоимости компонента, получается примерно тот же уровень мощности потерь, как видно из рисунка ниже.

6 А диод поколения G6 сравним по потерям с 8 А диодом поколения G6

Другой особенностью новых диодов является оптимизация топологии MPS (Merged PIN Schottky) структуры полупроводниковой ячейки, благодаря чему достигается более высокая стойкость к коротким микросекундным токовым перегрузкам.

Совместно с высоковольтными MOSFET линейки CoolMOS™ Infineon диоды G6 составляют основу для построения высокоэффективных компактных источников питания.

Особенности SiC диодов Шоттки CoolSiC™ G6 на 650 В

• Самое низкое в своем классе прямое падение напряжения V_f=1,25 В;
• Лучший в классе показатель FOM Q_CxVf;
• Отсутствие заряда обратного восстановления;
• Стойкость к высоким dv/dt;
• Меньший уровень мощности потерь благодаря сниженным потерям проводимости.

Целевые применения

• Высокоэффективные источники питания;
• Источники бесперебойного питания;
• Инверторы для солнечных батарей.

Источник: www.compel.ru