Новости электроники
Архив : 19 Июль 2017 год
Являясь пионером в области карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов, компания Wolfspeed (CREE POWER) выпустила первый коммерчески успешный SiC MOSFET в 2011 году. И по сей день компания остается лидером в этой области, постоянно пополняя портфолио новыми приборами.
Класс напряжения новых карбид-кремниевых транзисторов 1000 В позволяет проявить определенную гибкость в разработке изделий. Такой номинал напряжения, во-первых, охватывает большинство основных топологий силовых устройств. Во-вторых, для многих приложений уже нет необходимости использовать приборы на 1200 В, которые, как правило, более дорогие.
В течение последних 5 лет SiC MOSFET нашли свою нишу в силовых преобразователях для альтернативной энергетики, промышленных источниках питания и зарядных станциях электротранспорта, во многих случаях заменяя кремниевые IGBT. Карбид-кремниевые транзисторы превосходят традиционные кремниевые полевые транзисторы по основному технологическому показателю качества – Figure–Of–Merit (FOM определяется как Rds(on)·Qgate).
SiC MOSFET 3-го поколения:
Наименование | Vds(max) (В) | Rds(on) @ 25°C (мОм) | Ток Id @ 25°C (А) | Корпус |
C3M0065090J | 900 | 65 | 35 | D2PAK-7 |
C3M0065090D | 65 | 36 | TO-247-3 | |
C3M0120090D | 120 | 23 | TO-247-3 | |
C3M0120090J | 120 | 22 | D2PAK-7 | |
C3M0280090J | 280 | 11.5 | D2PAK-7 | |
C3M0280090D | 280 | 11.5 | TO-247-3 | |
C3M0065100K | 1000 | 65 | 35 | TO247-4 |
C3M0065100J | 65 | 35 | D2PAK-7 | |
C3M0120100K | 120 | 22 | TO247-4 | |
C3M0120100J | 120 | 22 | D2PAK-7 |
Технические особенности:
- Новейшая технология производства кристаллов SiCC3M™;
- Уменьшение паразитной индуктивности вывода за счет соединения Кельвина цепи управления транзистором;
- Расстояние утечки тока по поверхности корпуса между стоком и истоком (Creepage distance) – 7 мм (корпус D2PAK-7L) и 8 мм (корпус TO247-4L);
- Высокое блокирующее напряжение Vds(max) при низком сопротивлении Rds(on);
- Работа преобразователей на высокой частоте коммутации;
- Сверхнизкий заряд обратного восстановления диода Qrr;
- Ультра-низкая выходная ёмкость Сoss приборов – не более 60 пФ позволяет существенно снизить потери переключения транзистора;
- Стойкость транзистора к лавинному пробою.
Системные преимущества:
- Снижение потерь переключения на порядок (по сравнению с Si-IGBT);
- Меньше мощность потерь – ниже требования к системе охлаждения;
- Высокая частота коммутации позволяет уменьшить размеры компонентов и, следовательно, удешевить их;
- Обеспечение более высоких удельных показателей преобразователей;
- Значительное повышение КПД преобразователя и уменьшение требований к системе охлаждения.
Целевые применения:
- Инверторы напряжения;
- Зарядные устройства;
- Промышленные источники питания;
- Высоковольтные DC-DC преобразователи.
Источник: www.compel.ru