на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 5 Ноябрь 2013 год


20:02Новые 40V и 30V P-канальные MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила новые 40 В и 30 В p-канальные Gen III TrenchFET транзисторы SiSS27DN и SiS443DN в компактных корпусах PowerPAK. Оба транзистора имеют крайне низкое сопротивление открытого канала для такого класса приборов, что позволит значительно повысить эффективность, к примеру, в ключевых схемах управления нагрузкой.



Основные преимущества:

    сопротивление открытого канала:
        SiSS27DN – 5.6 мОм (-10 В) и 9 мОм (-4.5 В),
        SiS443DN – 11.7 мОм (-10 В) и 16 МОм (-4.5 В);
    компактные инновационные корпуса с высокой теплопередачей;
    на 100% протестированы Rg и UIS.
 

НаименованиеSiSS27DNSiS443DN
VDS (В)-30-40
VGS (В)2020
RDS(ON) (мОм) @10 В5,611.7
6 В7-
4.5 В916
КорпусPowerPAK 1212-8SPowerPAK 1212-8

Источник: compel.ru