Архив : 12 Февраль 2013 год

Компания Vishay расширила семейство мощных P-канальных MOSFET транзисторов двумя новыми представителями SiA447DJ и Si5429DU, с допустимыми напряжениями сток-исток 12 В и 30 В, соответственно. Транзисторы изготовлены по современной технологии TrenchFET Gen III и имеют самое низкое в отрасли сопротивление открытого канала при управляющем напряжении 4.5 В. Отдельно отметим транзистор SiA447DJ, который способен уверенно открываться при напряжении на затворе до 1.5 В. Это позволяет SiA447DJ работать в составе устройств с низкой шиной питания, что особенно актуально для портативных устройств.

SiA447DJ и Si5429DU доступны в корпусах PowerPAK SC-70 и PowerPAK ChipFET, размером 2х2 мм и 1.8х3 мм, соответственно. Такие компактные корпуса позволяют значительно экономить место на печатной плате.
Ключевое преимущество

    Ультранизкое сопротивление Rds(on) при напряжении на затворе 4.5 В:
        13.5 мОм для SiA447DJ, что на 12% ниже чем у ближайших конкурентов;
        22 мОм для Si5429DU, что на 35% ниже чем у ближайших конкурентов.

    Технические характеристики представлены в таблице:

Источник: www.compel.ru/