Новости электроники
Архив : 22 Октябрь 2007 год
ABA-52563-BLKG – простой и недорогой монолитный усилитель для 50-омного тракта радиочастотных устройств, обладающий высоким усилением до 21,5дБ и плоской частотной характеристикой во всей полосе от постоянного тока до 3,5ГГц. Точка компрессии (P1dB) достигает уровня 9,8дБм при напряжении питания 5В и токе потребления 35мА. Гарантируется абсолютная устойчивость усилителя во всех допустимых режимах работы.
Отличительные особенности:
- диапазон частот: 0...3,5ГГц;
- коэффициент усиления: 21,5дБ;
- КСВ менее 2.0;
- точка компрессии P1dB: 9,8дБм;
- уровень шума: 3,3дБ;
- групповая задержка: 150пс;
- абсолютная стабильность в работе;
- напряжение питания 5В (35мА);
- корпус SC-70-6 (SOT-363).
Типовая схема включения ABA-52563 здесь.
Области применения: усилитель для сотовых и бесшнуровых телефонов, мобильного радио, аппаратуры ISM-диапазона, беспроводные сети, ТВ-тюнеры.
Источник: terraelectronica.ru
Компания INTERNATIONAL RECTIFIER представила набор микросхем, состоящий из новой микросхемы интегрированного аудиодрайвера IRS2092 с защищенной ШИМ-коммутацией и полностью согласованными цифровыми аудио MOSFET-транзисторами компании IR.
Набор микросхем предназначен для высококачественных аудиоусилителей средней мощности класса D с мощностью от 50 до 500Вт, используемых в домашних кинотеатрах, домашних стереосистемах, активных колонках, музыкальных инструментах и профессиональной звуковой аппаратуре.
"Новый набор микросхем компании IR приносит преимущества в эффективность получения звука и размеры класса D в высококачественные усилители, значительно сокращая общую площадь печатной платы по сравнению с аппаратурой класса АВ без ущерба для качества звука", - говорит Стефан Ерно (Stephane Ernoux), директор по маркетингу аудиопродукции компании IR. "Более того, микросхема упрощает работу дизайнеров, предоставляя им "готовый блок" имеющий защиту, формирование времени паузы и ШИМ модулятор, который может быть легко отмасштабирован для соответствия требованиям конкретной аппаратуры, простой заменой используемых MOSFET транзисторов", - добавляет он.
Новый набор микросхем образует аудиорешение класса D которое намного меньше, чем аналогичное решение класса AB. Например, в 100Вт аппаратуре, микросхема IRS2092 и DirectFET MOSFET-транзисторы IRF6645 уменьшают площадь платы, приблизительно на 60% и на 20% сокращают количество компонентов, по сравнению с типовым перечнем элементов. Опираясь на полумостовую топологию, новая микросхема аудиодрайвера объединяет четыре основные функции для реализации усилителя класса D, включая усилитель ошибки, ШИМ-компаратор, драйвер затвора и надежные схемы защиты. В результате, компактная 16-выводная микросхема обеспечивает высокую устойчивость к шуму и снижение импульсного шума при включении и выключении, что значительно облегчает некоторые из самых сложных и дорогостоящих задач при проектировании, как например защита от перегрузки. Основные узлы содержащиеся в IRS2092 включают аналоговый ШИМ-модулятор с частотой работы до 800кГц, программируемую двунаправленную защиту от превышения тока (OCP) с самостоятельным контролем перезапуска, защитное отключение при недонапряжении (UVLO) и программируемую предустановку времени паузы для масштабирования аппаратуры по мощности. Микросхема может быть использована в комплекте с широким спектром цифровых аудио MOSFET-транзисторов для получения выходной мощности в диапазоне от 50 до 500Вт.
MOSFET-транзисторы, входящие в семейств IRFI4x, IRFB422x, и DirectFET компании IR, были оптимизированы по параметрам важным для получения качественного звука, таким как эффективность работы, THD, и EMI.
IRAUDAMP5, пример разработки, ускоряет оценку набора микросхем и проектирование аппаратуры. Созданное на основе микросхемы IRS2092 и IRF6645 DirectFET мощных MOSFET-транзисторов двухканальное устройство - 120Вт полумостовой усилитель, который может быть отмасштабирован по мощности и количеству каналов, не требующий наличия теплоотвода при нормальных условиях эксплуатации. Конструкция обеспечивает эффективность работы 96% при 120Вт мощности в каскаде MOSFET транзисторов и величину THD+N 0,005% на частоте 1кГц, при 60Вт на 4Ом нагрузку (типовые значения).
Источник: terraelectronica.ru