Новости электроники
Архив : 14 Сентябрь 2007 год
М25РХ32
Технические особенности М25РХ32, в первую очередь, нашли свое применение при производстве плоских цифровых панелей и телевизионных цифровых приставок. Так при эксплуатации заметно улучшилось взаимодействия интерфейса ЖК-панели с пользователем; а в set-to-box достигнута более высокая скорость загрузки кода в RAM, что обеспечивает быстрейшее начало работы всей системы. Размеры новой М25РХ32 позволяет ее использовать и там, где важна высокая плотность монтажа электронных компонентов: ПК, приводы оптических дисков, принтеры.
Сконструированная по запатентованной технологии 0.11um, М25РХ32 продолжает естественную эволюцию серии М25Р - памяти последовательного типа. Технологическое лидерство микросхемы состоит в том, что в ней реализованы высокая скорость операций во всем диапазоне рабочих напряжений при организации двух входов.
Разработанная для применений в высокочастотных устройствах, прибор гарантированно поддерживает частоту 75мГц при напряжениях 2,7-3,6 В и промышленном диапазоне температур от -40С до + 85С. Двухвходовая память так же является очень важным элементом устройства - в течение фазы быстрого чтения двойной выход команд позволяет системе дублировать частоту передачи данных, эффективно тактируя NOR в эквивалентные 150мГц, опять же во всем диапазоне напряжений; кроме того, в фазе быстрого программирования входные и выходные выводы используются для программирования памяти.
Новая М25РХ32:
Имеет защиту от перегрузок;
64 Байта могут быть блокированы пользователем;
Имеется зона однократного программирования;
Существует возможность использовать память «только для чтения».
Пробные образцы памяти М25РХ32 в корпусах SO8W и SO16W доступны уже сейчас, а их серийные поставки начнутся с четвертого квартала 2007 года.
Отличительные особенности:
- высокая производительность, передовой техпроцесс E2CMOS;
- гибкая архитектура для быстрой разработки;
- высокая скорость:
— 5,0нс tPD,
— 182МГц fCNT; - 32, 64 и 512 макроячейки, соответственно;
- особенности архитектуры:
— D/T регистры и защелки,
— синхронные и асинхронные режимы,
— входные регистры,
— программируемая полярность,
— напряжения питания 3,3В и 5,0В,
— PCI-совместимость,
— «горячее» подключение,
— программируемый бит секретности,
— индивидуальное управление скоростью выходных данных; - температурный диапазон: 0°C...+70°C;
- корпуса: TQFP-44 (M4A5-32/32-10VNC и M4A5-64/32-10VC) и PQFP-208 (M4A3-256/128-10YC)
Структура PAL-блоков архитектуры CPLD ispMACH 4A здесь.
Источник: terraelectronica.ru
Они предназначены для слежения за температурой DIMM (модули памяти с двухсторонними выводами) модулей используемых в персональных компьютерах. Более быстрая DDR2 и DDR3 (удвоенное быстродействие) DRAM-память, установленная в компьютерах или других системах, увеличивает риск перегрева памяти, таким образом, измерение температуры, которое позволяет центральному процессору снизить интенсивность обмена с памятью или предпринять другие шаги для предотвращения ее нагрева, становится все более важным при создании систем.
STTS424 - автономный цифровой датчик температуры, а STTS424E02 объединяет датчик температуры с 2Кбит последовательной памятью наличия (SPD) EEPROM, которая используется в DIMM-модулях для сохранения параметров быстродействия и другой информации о модуле, в соответствии с требованиями Jedec.
Обе микросхемы взаимодействуют с чипсетом центрального процессора через I2C/SMBus – совместимую шину и выпускаются в 2x3мм DFN8 и 4,4x3мм TSSOP8-корпусах. Датчик STTS424 имеет на 50% меньшее потребление энергии, чем другие аналогичные микросхемы и чем заложено в требованиях стандарта Jedec JC42.4. STTS424E02 может заменить 2Кбит SPD EEPROM в существующих модулях памяти, одновременно добавляя возможность измерения температуры при минимальной стоимости переделки платы и без увеличения числа используемых компонентов. Для упрощения программирования, датчик температуры и EEPROM-память в STTS424E02 имеют каждая свой собственный I2C/SMBus-адрес.
Новые микросхемы датчика включают в себя аналого-цифровой преобразователь (АЦП), который следит и оцифровывает температуру с разрешением до 0,25°C и точностью +/-1°C в температурном диапазоне от 75° до 95°C. Микросхемы откалиброваны при изготовлении и не требуют применения внешних компонентов для измерения температуры. Они могут работать при напряжении питания от 2,7 до 3,6В в температурном диапазоне от -40° до +125°C. Типовое потребление тока микросхемами при напряжении питания 3,3В составляет 100мкА. Выходной сигнал с открытым стоком EVENT имеет активный уровень, если измеренная температура превышает запрограммированную величину, или если она выходит за верхний или нижний пределы заданного пользователем интервала. Данный сигнал может быть сконфигурирован для работы в режиме термостата или как источник прерывания. 2Кбит последовательная EEPROM память из состава STTS424E02 может изначально предохранять информацию, хранящуюся в первых 128байт памяти, для использования в модулях DDR DIMM, имеющих SPD.
Источник: terraelectronica.ru