Новости электроники
Архив : 2 Февраль 2007 год
Компания NXP Semiconductors приглашает Вас принять участие в практическом тренинге, посвященном микроконтроллерам ARM семейства LPC2000.
Тренинг проводится на базе Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета (ЛЭТИ).
В процессе тренинга будут представлены материалы о последних разработках в области ARM-микроконтроллеров NXP, раскрыты особенности ARM-архитектуры. Отдельно будут рассмотрены отладочные средства. Также участники выполнят цикл практических упражнений, направленных на освоение ARM-ядра, периферийных устройств, среды разработки, отладочных средств. Практические работы проводятся на отладочных комплексах LPC2148 и Keil uVision. Рассматривается протокол USB - Mass storage device.
Вести тренинг будет инженер NXP при поддержке специалистов ЛЭТИ. Участие - бесплатное. Количество мест ограничено. Формирование группы будет производиться по мере поступления заявок. Участникам тренинга будут выданы сертификаты NXP.
Время проведения тренинга - 07 февраля 2007 года, начало в 9:30.
Место проведения тренинга - г. Санкт-Петербург, ул. Попова 5, второй корпус, первый этаж, аудитория №2115 (лаборатория NXP-Philips).
Для участия в семинаре необходимо заполнить регистрационную форму
Керамические резонаторы имеют ряд преимуществ по сравнению с LC- и RC-осцилляторными элементами и кварцевыми резонаторами. Если первые имеют низкую температурную стабильность, большую погрешность частоты резонанса и значительные габаритные размеры, то вторые известны высокой ценой, неэкономным использованием пространства платы и продолжительным временем нарастания сигнала. Безусловно, и сами керамические резонаторы уступают в некоторых параметрах кварцевым. Но в тех приложениях, где не требуется высокая точность частоты резонанса, а портативность исполнения и невысокая себестоимость изделий занимают приоритетные места, керамические резонаторы являются идеальным схемотехническим решением.
Состав (для 1 осциллографа): Li-Ion аккумуляторные батареи (11,1 В, 6600 мАч) - 2 шт, зарядное устройство (время полной зарядки 8 ч.), полный набор необходимых монтажных деталей и соединителей.
Такое решение позволяет обеспечить непрерывную эксплуатацию осциллографа при отсутствии сети ~220 В в течение ~3-х часов.
Ранее данная опция была доступна для установки - только на заводе изготовителе при заказе прибора.
* Установка опции предполагает вскрытие корпуса прибора, нарушение гарантийной пломбы, и, как следствие, ведёт к прекращению обязательств ЗАО "ПриСТ" по гарантийному обслуживанию прибора. Поэтому, мы настоятельно рекомендуем производить установку этой опции силами специалистов нашего сервис-центра. Услуга по установке опции бесплатна.
Отличительные особенности:
встроенный силовой ключ (0,9Ом, 150В);
ограничение тока в каждом периоде;
программируемая частота переключения;
ограничение длительности цикла;
встроенная цепь запуска на 100В;
внутренняя компенсация;
мягкий запуск;
защита от перенапряжений;
автоматический перезапуск при переподключении нагрузки;
стабилизация при нулевой нагрузке;
защита от перегрева;
температурный диапазон: –40ºC…+85ºC;
корпус SOIC-8.
Области применения: телекоммуникационные применения; VoIP-телефоны; системы питания Power-over-Ethernet; преобразователи распределенных систем питания.
По сравнению с оптронами, семейство 600В одноканальных микросхем драйвера верхнего плеча IRS2117/8 обеспечивает низкий входной ток, 40мкА и выходной сигнал от 0 до 15В для снижения количества необходимых компонентов и упрощения конструкции схемы. Низкий ток потребления микросхемы, 340мкА, функция отключения при недонапряжении и максимальная температура кристалла 150С обеспечивают улучшение надежности и устойчивости работы. Кроме того, IRS2117 и IRS2118 обеспечивает ослабление синфазного сигнала со скоростью нарастания до 50В/нс.
Фирменная КМОП технология устойчивая к защелкиванию, обеспечивает крепкую, монолитную конструкцию. Выходной драйвер, чей логический вход совместим с сигналом стандартного КМОП выхода, создает буферный каскад с большим импульсным током, предназначенный для минимизации сквозной проводимости. Плавающий канал может быть использован для управления N-канальным мощным MOSFET или IGBT транзистором в конфигурации верхнего или нижнего плеча, работающего с напряжением до 600В.
В новых микросхемах применена передовая технология производства высоковольтных микросхем компании IR, которая использует следующее поколение технологии высоковольтного сдвига уровня и согласования для получения превосходной защиты от электрических перегрузок и повышения надежности работы в реальных условиях.