BR93L46F-WE2, BR93L56F-WE2, BR93L66F-WE2, BR93L76F-WE2 - микросхемы EEPROM-памяти с повышенной надежностью на основе технологии Double-Cell EEPROM параллельного хранения информации в двух ячейках. В случае возникновения ошибки в одной ячейке, другая продолжает функционировать правильно. В результате верные данные будут считаны независимо от ошибки в одной из ячеек. Микросхемы EEPROM-памяти отличаются низким энергопотреблением: до 1,5мА в активном режиме и до 2мкА в спящем режиме. Встроенный детектор, запрещающий запись при снижении напряжения питания ниже 1,2В, триггер Шмитта в цепи тактирования, тактовая частота шины до 2МГц, количество циклов записи/стирания до 1 миллиона и время сохранности данных 40 лет повышают функциональность микросхем.
Отличительные особенности:
патентованная технология параллельного хранения данных Double-Cell EEPROM;
максимальная тактовая частота шины: 500кГц (1,8В…2,5В) и 2МГц (2,5В…5,5В);
гарантированное количество циклов записи/стирания более 1 миллиона;
период сохранности данных более 40 лет;
детектор напряжения питания;
триггер Шмитта в цепи тактирования;
функция автоинкремента адреса чтения;
функция защиты от несанкционированной записи на аппаратном уровне;
диапазон напряжения питания: 1,8В…5,5В;
ток потребления в активном режиме до 1,5мА, в спящем режиме до 2мкА;
температурный диапазон: -40°C…+85°C;
корпус SOP-8.
Области применения: видеокамеры, видеоаппаратура, телевизоры, мобильные телефоны, аппаратура с батарейным питанием, EEPROM для DDR SDRAM DIMM, RAMBUS DRAM RIMM, поддержка интерфейсов DDC1/DDC2B/EDID DDC2 для PLUG&PLAY подключения CRT-мониторов, автомобильные аудиосистемы, EEPROM общего назначения с последовательным интерфейсом.
Источник:terraelectronica