Компания Winbond Electronics сообщила о запуске производства псевдостатических ОЗУ (Pseudo SRAM) серии W96 рекордно-высокой емкости (256 Мбит) среди прочей доступной на рынке продукции. Расширение функциональных возможностей мобильных телефонов, как правило, связано с необходимостью увеличения емкости буферного ОЗУ. К числу таких функций относятся, например, просмотр цифровых фотографий, загрузка JAVA-игр, встроенный модуль цифровой камеры и др. Такие преимущества псевдостатических ОЗУ, как высокая емкость, низкая стоимость, повышенная скорость передачи данных и малое потребление практически вытеснили из мобильных телефонов традиционные статические ОЗУ с 6-ти транзисторными ячейками памяти и сделали их незаменимой частью кэш-памяти данных. Кроме того, во многих коммуникационных приложениях требуется экономичная память, которая обладает пониженной стоимостью, но при этом имеет увеличенный размер памяти. Именно такая тенденция будет сохраняться за псевдостатическими ОЗУ в будущем, предлагая экономичную память с рекордным соотношением емкость/стоимость.
В плане архитектуры псевдостатическое ОЗУ представляет собой объединение динамического ОЗУ и интерфейса стандартного статического ОЗУ. За основу ядра динамического ОЗУ взято традиционное решение, на элементарном уровне состоящее из 1 транзистора и 1 конденсатора. Интерфейс статического ОЗУ выполнен с учетом совместимости с традиционными одноименными компонентами. Помимо данных составляющих компонентов, псевдостатическое ОЗУ содержит схему регенерации, связанную с внешней схемой через интерфейс СОЗУ. За счет этого улучшено быстродействие доступа при минимуме сложностей на реализацию функции регенерации для разработчика. Псевдостатические ОЗУ производятся по существующей технологии DRAM 110 нм и 90 нм.
Псевдостатические ОЗУ характеризуются следующими особенностями:
- Высокая емкость памяти (16-256Мбит)
- Высокая частота (133МГц)
- Уменьшенные размеры кристалла (ячейка памяти состоит из 1 транзистора)
- Пониженный потребляемый ток
- Совместимость с технологией производства динамических ОЗУ
- Встроенная схема регенерации упрощает проектирование.
Псевдостатические ОЗУ Winbond отвечают существующим стандартам для этой категории продукции. В настоящее время существует три стандарта, распространяющиеся на псевдостатические ОЗУ. Кроме собственных стандартов компаний Samsung и CSOMO, наиболее распространенным на рынке является стандарт CRAM 1.0G/1.5G/2.0G альянса CellularRAM (Winbond Electronics является членом этого альянса)
Ниже приведена краткая информация по новым псевдостатическим ОЗУ емкостью 256 Мбит: