RF Microdevices официально объявляет о начале серийного производства сверхширокополосных GaAs усилителей серии SDA-X0000. Формат фактор микросхем - бескорпусные кристаллы размером 3,1х1,45мм. Выпуском SDA ознаменовано начало производства целой серии распределённых усилителей (усилителей бегущей волны), которую в RF Microdevices намерены развивать в ближайшие годы.
Основным аргументом, побудившим RFMD разработать данные устройства, послужило не только наличие аналогичных предложений на рынке от других производителей, но и тенденция возрастающего спроса на усилители с частотным диапазоном от DC до 40-50 ГГц.
Основные характеристики микросхем SDA (со ссылками на полную документацию) приведены в таблице ниже:
Позиция Частотный диапазон К.Ус(на центр. частоте), Дб IP3 (на центр частоте), дБ P1 (на центр частоте), дБ Коэф. шума(на центр. Часте), дБ Рабочий ток, мА Напряжение питания, В
Рекомендуемые применения:
Радарная техника всех применений
Широкополосная связь "точка-точка"
Метрологическое оборудование и измерительная техника
Космическая техника связи
Источник: www.macrogroup.ru