Новая Е-серия мощных 650V MOSFET от Vishay

Компания Vishay Intertechnology представила новую высоковольтную серию мощных n-канальных MOSFET транзисторов с ультранизким сопротивлением открытого канала. Новая "Е"-серия представлена множеством транзисторов с максимальным рабочим напряжением сток-исток 650 В и широким диапазоном номинальных токов.

Благодаря новейшей оптимизированной технологии производства "Super Junction", новые транзисторы обладают большей эффективностью по сравнению с транзисторами предыдущей серии "S", что связано с дополнительным 30% уменьшением сопротивления открытого канала. Кроме этого, можно отметить значимое уменьшение входной емкости и заряда затвора новых транзисторов, что положительно скажется на потерях в драйвере и позволит снизить требования к этому узлу.

Общее увеличение быстродействия новых MOSFET позволит уменьшить потери при переключении. Все эти улучшения в совокупности с низкой ценой позволяют создавать доступные высокоэффективные импульсные источники питания с потрясающей плотностью мощности.
Основные преимущества:

    Ультранизкое сопротивление открытого канала;
    Низкий заряд и емкость затвора;
    Широкий диапазон номинальных токов от 6 А до 105 А;
    Разнообразные корпуса: IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), TO-220 FULLPAK, TO-220AB, D2PAK (TO-263), TO-247AC, TO-247AD, Super TO-247;
    Высокая стойкость к лавинному пробою.

Технические характеристики

Источник: compel.ru