Компания International Rectifier представила рынку свой первый 1400 В IGBT транзистор с рабочей частотой до 30 кГц, оптимизированный для систем с режимом "мягкой коммутации" силовых ключей, в том числе, систем индукционного нагрева.
Транзистор IRG7PK35UD1 объединяет в одном корпусе кристалл IGBT, изготовленный по канавочной (trench) технологии на тонких пластинах 7-го поколения (Gen7) и обладающий сверхнизким значением Vce(on), и кристалл быстрого диода со сверхнизким (1.3 В) прямым падением напряжения. Такая конструкция обеспечивает ультрабыстрое (с частотой до 30 кГц) переключение транзистора и сверхмалые значения потерь проводимости и коммутации, позволяя достичь более высокого КПД систем индукционного нагрева.
Расширенный диапазон рабочего напряжения (1400 В) позволяет проектировать более мощные источники питания с параллельным резонансом и обеспечивает дополнительную защиту в приложениях с жесткими условиями эксплуатации.
Транзистор IRG7PK35UD1 расширяет семейство IGBT-транзисторов от IR, предназначенных для работы в режиме мягкой коммутации, до 1400 В и увеличивает выходную мощность систем индукционного нагрева и резонансных источников питания.
Основные параметры:
Ток коллектора номинальный (IC) при 25/100°C: 40/20 A;
Ток коллектора импульсный (ICM): 200 А;
Vce(on) тип./макс. при 25°C: 2.0/2.35 В;
Энергия выключения номинальная (Eoff) при 25°C: 0.65 мДж;
Корпус TO-247.
Источник: www.compel.ru