Управляющие (IRF6712S) и синхронные (IRF6716M) транзисторы были разработаны с использованием последних кремниевых процессов HEXFET MOSFET и технологии монтажа DirectFET. Они имеют чрезвычайно низкие значения индуктивности корпуса, сопротивления во включенном состоянии, заряда затвора и промежутка затвор-сток, что обеспечивает высокий КПД и великолепные тепловые характеристики.
Все это позволяет достичь величины тока до 25A на фазу при небольших размерах плоского корпуса. Величина сопротивления IRF6716M во включенном состоянии (1,2мОм при напряжении затвор-сток 10В и 2,0 мОм при 4,5В) является самой низкой для транзисторов на 25В, что делает прибор крайне привлекательным для синхронных выпрямителей сильноточных ВЧ преобразователей.
IRF6716M имеет такой же низкий (0,7мм) профиль и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов, что позволяет легко переходить к ним от существующих низковольтных DirectFET MOSFET.
IRF6712S был оптимизирован для сильноточных применений, где желателен вариант с единственным управляющим транзистором. Он имеет низкие значения зарядов затвора и промежутка затвор-сток (13 и 4,4нК, соответственно,) в сочетании с малым последовательным сопротивлением (3,8мОм при 10В и 6,7мОм при 4,5В).
Для облегчения работы с ним IRF6712S также имеет такую же толщину и расположение выводов, как у предыдущего поколения приборов.
Источник: terraelectronica.ru