Компания International Rectifier выпустила серию IGBT при изготовлении которых была использована технология нового поколения – Gen8. Новые транзисторы используют самую последнюю версию "Field-stop trench"-технологии изготовления кристаллов IGBT и рассчитаны на напряжение 1200 В. Транзисторы выпускаются в корпусах промышленного стандарта TO-247.
Новые транзисторы охватывают диапазон рабочих токов от 8 А до 60 А, обладают типовым значением параметра Vce(on)=1.7 В и областью безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) до 10 мкс. Все это позволяет снизить тепловые потери, повысить выходную плотность мощности и обеспечить высокую надежность промышленных систем.
Новая технология позволяет минимизировать крутизну изменения напряжения dv/dt, уменьшая уровень ЭМИ и снижая уровни перенапряжения, и делает IGBT Gen8 идеальным решением для построения электроприводов. Рабочая частота коммутации этих транзисторов составляет от 0 до 8 кГц (fast speed range).
Появление данной новой технологии и ультрасовременной кремниевой платформы изготовления IGBT явилось результатом работы компании IR по развитию технологий в силовой электронике в течение нескольких десятилетий. Цель компании – достичь 100% возможности использования ее компонентов в инверторах для управления электродвигателями различной мощности с целью более эффективного использования электрической энергии и улучшения экологии окружающей среды.
Наименование | Напряжение, В | Vce(on) тип., В | Ток Ic при 100°С, А | Ets тип. при 25°С, мДж | Падение на диоде VF тип., В | Энергия рассеяния макс., Вт |
IRG8P08N120KD | 1200 | 1.7 | 8 | 0.6 | 2.3 | 89 |
IRG8P15N120KD | 15 | 1.2 | 2.1 | 125 | ||
IRG8P25N120KD | 25 | 1.7 | 2.1 | 180 | ||
IRG8P40N120KD | 40 | 3.4 | 2.1 | 305 | ||
IRG8P50N120KD | 50 | 4.2 | 2.1 | 350 | ||
IRG8P60N120KD | 60 | 5.1 | 2.3 | 420 |
Источник: www.compel.ru