Отличительные особенности:
энергонезависимая и реконфигурируемая структура:
- мгновенное включение – время готовности измеряется микросекундами,
- не требуется внешняя конфигурационная память,
- превосходная безопасность,
- реконфигурируемая за микросекунды с помощью SRAM-памяти логика;
режим «сна» снижает потребляемую статическую мощность в 1000 раз;
увеличенная плотность упаковки блоков:
- от 3,1K до 19,7K LUT4,
- от 62 до 340 I/O-линий;
встраиваемая и распределенная память:
- от 54Kбит до 414Kбит встроенной sysMEM-памяти;
блоковая RAM-память:
- до 79Kбит распределенной RAM-памяти;
гибкий I/O-буфер;
программируемый sysIO-буфер поддерживает интерфейсы:
- LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2 LVTTL,
- SSTL 18 класс I SSTL 3/2 класс I, II,
- HSTL15 класс I, III HSTL 18 класс I, II, III PCI LVDS, Bus-LVDS, LVPECL;
поддержка DDR333 памяти (166MHz);
до четырех PLL-петель sysCLOCK на устройство;
умножение частоты, деление и фазовый сдвиг;
встроенный тактовый генератор;
напряжения питания: 3,3В; 2,5В; 1,8В или 1,2В.
Области применения: аппаратура сетевой и телекоммуникационной инфраструктуры; базовые станции сотовой связи; мультимедиа/видео/аудио аппаратура; высокоскоростная логика; цифровой обработки сигналов; бытовая техника; аудио-видео вещание; устройства хранения; серверы; аппаратура тестирования и измерения.
Источник: terraelectronica.ru