Новые устройства объединяют последнее поколение 30В-кристаллов HEXFET мощных MOSFET-транзисторов и улучшенную технологию корпусирования DirectFET, для уменьшения на 40% занимаемой элементом площади, по сравнению со стандартными устройствами в корпусе SO-8 и получения его очень плоского 0,7мм профиля. Новое поколение 30В-транзисторов имеет очень малую величину сопротивления открытого состояния, при минимальной величине заряда затвора и заряда затвор-сток, что совместно с очень низкой индуктивностью корпуса, обеспечивает уменьшения потерь и на переключение, и на проводимость.
Используя преимущества превосходных кристаллов мощных MOSFET-транзисторов и корпусов DirectFET, новые 30В-транзисторы отличаются очень низким сопротивлением открытого состояния, малым зарядом затвора и затвор-сток, для получения повышенной эффективности и температурных характеристик при работе с полной нагрузкой. Это так же позволяет работать с током фазы до 25А, обеспечивая тем самым компактный размер узла из одного управляющего и одного синхронного MOSFET-транзистора.
IRF6724M, IRF6725M, IRF6726M и IRF6727M отличаются очень низким сопротивлением открытого состояния, что делает их использование привлекательным в качестве синхронных MOSFET-транзисторов работающих с большим током.
Эти новые изделия имеют одинаковое MT и MX-расположение выводов с изделиями предыдущего поколения, обеспечивая простой переход на их использование в приложениях, где требуется увеличить величину тока или улучшить температурный режим. Очень низкая величина заряда затвора и затвор-сток предлагаемая IRF6721S, IRF6722S и IRF6722M, делает привлекательным их использование в качестве управляющих MOSFET-транзисторов. Они выпускаются в SQ, ST и MP-корпусах для получения большей гибкости их использовании.
Источник: terraelectronica.ru