BFP740E6327 и BFP740FE6327 – биполярные высокочастотные транзисторы NPN-проводимости, выполненные по современному SiGe:C (Silicon-Germanium Carbon) 150ГГц техпроцессу. Значительное сокращение общей паразитной индуктивности позволяет таким транзисторам показывать экстремально низкий уровень шума и стабильный коэффициент усиления на частотах до 6ГГц и выше, напрямую конкурируя с GaAs-транзисторами.
Отличительные особенности:
- уровень шума: 0,5дБ на 1,8ГГц, 0,85дБ (BFP740) и 0,75дБ на 6ГГц (BFP740F);
- стабильный максимальный коэффициент усиления: 27дБ (BFP740) и 27,5дБ (BFP740F) на 1,8ГГц;
- корпус SOT343 (BFP740) и TSFP-4 (BFP740F).
Области применения: GPS-системы, UMTS, DECT, ISM, SDARS спутниковое радио, DMB, WLAN-сети, бесшнуровые телефоны, DSRC, UWB, спутниковое телевидение, LNB, CDMA.
Источник: terraelectronica.ru