AT30TSE002B – полностью интегрированное решение для мониторинга температуры в масштабе реального времени. Вывод данных организован в цифровом формате через стандартный I2C/SMBus-совместимый последовательный интерфейс, что исключает необходимость применения какой-либо внешней схемы, в т.ч. аналогово-цифрового преобразователя.
Датчик полностью откалиброван, благодаря чему достигается точность измерения ±1°C. Поддержка 11-битного разрешения в пределах температурного диапазона -20…+125°C, трех программируемых порогов, программируемых гистерезисов, а также защиты от записи делает данное решение единственным в своем роде. AT30TSE002B также содержит 2 кбайт последовательного EEPROM для хранения необходимых для работы продукции данных.
Внутренняя архитектура AT30TSE002BAT30TSE002B — идеальное решение для любого применения, где наиболее важную роль играют безопасность и надежность, исключающие возможность недопустимого превышения температуры, а также функция энергонезависимого хранения настроек пользователя.
Во многих случаях AT30TSE002B может выступить в качестве замены 2-проводных последовательных EEPROM малого объема с целью повышения защищенности продукции за счет реально-временного мониторинга температуры.
Отличительные особенности:
11-битный АЦП (преобразователь температуры в цифровой сигнал) с разрешением 0.125°C;
высокоточная схема измерения температуры:
o погрешность ±1°C (макс.) в диапазоне температур +75°C…+95°C,
o погрешность ±2°C (макс.) в диапазоне температур +40°C…+125°C,
o погрешность ±3°C (макс.) в диапазоне температур -20°C…+125°C;
интегрированная SEEPROM-память размером 2 КБайт (256 Байт х 8 бит);
последовательный интерфейс I2C/SMBus-совместимый;
поддержка режима отключения при отсутствии активности на шине SMBus;
сигнал тревоги с программируемыми значениями критической температуры, падения ниже допусимой температуры и превышения верхнего предела температуры
программируемый порог гистерезиса: выключен, 0°C, 1.5°C, 3°C или 6°C;
постоянная и обратимая программная защита от записи EEPROM;
сверхмалый ток потребления:
o 1,6 мкА (тип.) в режиме ожидания,
o 0,2 мА (тип.) в режиме чтения EEPROM,
o 1,5 мА (тип.) в рижиме записи EEPROM;
диапазон напряжения питания: 2,7…3,6 В;
8-выводной корпус Very Very Thin DFN размером 2х3х0,8 мм.
Источник: www.terraelectronica.ru