Семейство 600V MOSFET CoolMOS™ C7 от компании Infineon адресовано для применений, где необходима высочайшая эффективность. По своим характеристикам транзисторы семейства вплотную приблизились к GaN приборам. Например, в MOSFET CoolMOS C7 на 50% снижена энергия выключения EOFF, что позволяет добиться повышения значения КПД в схемах с жесткой коммутацией (PFC, TTF). Также, вследствие снижения заряда QOSS, новые MOSFET отлично справляются с работой в резонансных схемах (LLC, ZVS).
Таким образом, благодаря применению 600V MOSFET CoolMOS C7, можно добиться серьёзного снижения коммутационных потерь и повышению общей эффективности системы. В дополнение к этому, становится возможной работа на более высоких частотах, что приводит к экономии на магнитных компонентах схемы. Применяя новые корпуса TO-247 4pin и ThinPAK 8×8 с дополнительным выводом истока, можно добиться дополнительного сокращения потерь и повышения КПД преобразователя.
Транзисторы семейства MOSFET CoolMOS C7 обладают лучшим в своем классе показателем RDS(on) в корпусах TO-220, TO-262 и TO-263. Также, благодаря низкому RDS(on), становится возможным применение транзисторов в более компактном корпусе, т.о. повышается плотность мощности конечного изделия.
Основные преимущества транзисторов CoolMOS С7:
- Снижение QG и COSS, работа на более высоких частотах, эффективность приближается к GaN;
- Уменьшение размеров и стоимости магнитных компонентов;
- Лучший в мире показатель RDS(on) * A (<1 Ом мм²);
- Работа в топологиях с жесткой коммутацией и резонансных схемах;
- Тот же уровень RDS(on) в меньших корпусах, увеличение плотности мощности.
Источник: www.compel.ru