Архив : 23 Сентябрь 2023 год

Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology выпустила три новых продукта (таблица 1): IGBT в корпусах TO-247 и TO-247 Plus с интегрированным диодом. Транзисторы предназначены для работы в высокочастотных приложениях, таких как зарядные устройства, накопители энергии, солнечные электростанции и различные импульсные преобразователи. Выполненные по технологии Trench-FS, транзисторы обладают лучшим балансом между блокирующей способностью и напряжением насыщения, а также рядом других особенностей:

• стандартный форм-фактор корпуса: TO-247 и TO-247 Plus (рисунок 1);
• напряжение "коллектор-эмиттер": 1200 В;
• ток коллектора: 40 или 75 A;
• максимальная температура перехода: 175°C;
• интегрированный встречно-параллельный диод с "мягким" восстановлением;
• малые напряжение насыщения и потери при переключениях для повышения КПД и экономичности приложений;
• соответствие стандартам RoHS.

Рис. 1. Внешний вид и назначение выводов новых транзисторов в корпусах TO-247 и TO-247 Plus

Таблица 1. Новые транзисторы (IGBT) компании Yangjie

Источник: www.compel.ru

Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology (YANGJIE) выпустила серию защитных TVS диодов для подавления электростатических разрядов (ЭСР, ESD). ESD-диоды имеют форм-фактор SOD-123FL (рисунок 1) для поверхностного монтажа, соответствуют RoHS и выпускаются в одно- и двунаправленной конфигурации. Диапазон рабочих напряжений составляет 5…36 В (таблица 1).

Рис. 1. Внешний вид и размеры корпуса SOD-123FL

Особенности новой серии ESD-диодов YANGJIE:

• миниатюрный корпус SOD-123FL с высотой не более 1,2 мм;
• эффективное поглощение больших электростатических разрядов;
• отличные показатели напряжения фиксации;
• высокая максимальная рабочая температура перехода 150°C;
• ультрабыстрое время срабатывания.

Таблица 1. Параметры новых ESD-диодов в корпусе SOD-123FL

Источник: www.compel.ru