Архив : 22 Апрель 2023 год

В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид-кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном использовании с карбид-кремниевыми диодами в составе силовых узлов позволяют значительно увеличить скорость переключения и одновременно с этим повысить эффективность всей системы при оптимальном энергопотреблении.

Компания YANGJIE – крупнейший производитель полупроводниковых дискретных и силовых компонентов – представляет SIC MOSFET собственной разработки. Данные транзисторы отвечают высоким требованиям индустрии по таким показателям, как скорость переключения, пропускная способность по току и высокая надежность. Такие компоненты особенно хорошо подходят для применения в устройствах с повышенными требованиями к уровню управляемости и скорости переключения транзистора.

Отличительной чертой данных SIC MOSFET является стабильность параметров при довольно высоком значении максимальной температуры (до 175°C). Кроме того, эти униполярные устройства с высокой скоростью переключения подходят для высоковольтных и высокочастотных приложений. Благодаря новой технологии производства тонких слоев карбид-кремниевые полевые транзисторы характеризуются низким импедансом, что существенно снижает потери (таблица 1).

Таблица 1. Основные технические параметры SIC MOSFET производства YANGJIE

Стоит также отметить, что YANGJIE предлагает на выбор несколько вариантов корпусов, например, TO-247-3L и TO-247-4L (рисунок 1).

Рис. 1. SIC MOSFET производства YANGJIE в корпусах TO-247-3L (а) и TO-247-4L (б)

Высоковольтные карбид-кремниевые полевые транзисторы производства компании YANGJIE изготовлены из экологичных материалов и отвечают требованиям стандартов RoHS. Они прошли все процедуры сертификации в индустрии, включая тесты HTRB, THGB и HV-H3TRB.

Варианты применений:

• солнечные панели;
• электромобили;
• зарядные станции;
• энергоснабжение.

Источник: www.compel.ru