Новости электроники
Архив : 12 Декабрь 2020 год
Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK).
Основной упор в новом поколении был сделан на уменьшении прямого падения напряжения диода Vf в открытом состоянии, уменьшении температурной зависимости напряжения Vf (T) и снижении обратного тока утечки.
Таблица. Сравнение SiC диодов 650 В 6-го и 3-го поколений
Наименование | If, A @ 155°C | Vf_typ, В@ 25°С | Vf_typ, В @ 175°С | Ir_max, мкА @ 175°C | Qc, нКл @ 400 В и 25°С | С, пФ @ 400 В и 1 МГц |
C6D10065E | 10 | 1,37 | 1,37 | 15 | 34 | 53 |
C3D10065E | 10 | 1,5 | 2,0 | 24 | 24 | 40 |
C6D08065E | 8 | 1,27 | 1,37 | 15 | 29 | 45 |
C3D08065E | 8 | 1,5 | 2,1 | 20 | 20 | 32 |
C6D06065E | 6 | 1,27 | 1,37 | 15 | 23 | 37 |
C3D06065E | 6 | 1,5 | 2,0 | 15,5 | 15 | 25,5 |
C6D04065E | 4 | 1,27 | 1,37 | 12 | 16 | 27 |
C3D04065E | 4 | 1,4 | 1,7 | 12 | 10 | 15 |
Технические особенности
- Самое низкое прямое падения напряжения Vf среди аналогов;
- Существенно меньшая зависимость Vf от температуры в сравнении с третьим поколением SiC-диодов;
- Практически нулевой ток обратного восстановления диода;
- Экстремально низкий обратный ток утечки Ir;
- Независимость процессов переключения от температуры;
- Положительный температурный коэффициент напряжения Vf.
Целевые применения
- Схемы ККМ;
- Зарядные устройства;
- Промышленные источники питания.
Источник: www.compel.ru