Архив : 5 Июнь 2014 год

Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать высокой надежностью. Как правило, подобные системы строятся на базе IGBT-транзисторов – полупроводниковых приборов, имеющих высокие допустимые рабочие температуры кристаллов и обеспечивающие высокие выходные токи при приемлемом уровне потерь.

Один из признанных мировых лидеров в производстве IGBT– компания InternationalRectifier – выпускает несколько серий IGBT промышленного применения для напряжений от 600 В до 1200 В с рабочими токами до 160 А при температуре кристалла 100°C.

Транзисторы выпускаются как в дискретном исполнении (в корпусе располагается только кристалл IGBT), так и в исполнении Co-Pack (в корпусе компонента располагаются кристаллы IGBT и быстродействующего антипараллельного диода). Некоторые IGBT транзисторы IR могут выдерживать режим короткого замыкания без разрушения структуры кристалла и корпуса в течении не менее 10 мкс (IRG7PSH73K10PBF), что делает их идеальным решением для систем промышленного электропривода.

Все мощные транзисторы выпускаются в выводных силовых корпусах TO-247 и TO-274 (Super-247), позволяющих эффективно отводит избыточное тепло на радиатор.

Характеристики наиболее мощных IGBT различных серий приведены в таблице. Все указанные транзисторы имеют максимальную рабочую температуру кристалла +175°C.

Источник: compel.ru