на главную
Карта сайта
English version
Вы читаете:

Радиоэлектроника - новости, новинки, обзоры

Новости электроники

Архив : 19 Февраль 2010 год


10:42Новая энергонезависимая FRAM-память FM28V100

FM28V100 – новая микросхема энергонезависимой FRAM-памяти от компании Ramtron. Данный тип памяти позволяет сохранять данные после отключения питания устройства.

По сравнению с Flash, память FRAM имеет более высокую скорость записи информации и существенно большее количество циклов запись/стирания, что позволяет многократно сохранять нужную информацию, не опасаясь за срок службы изделия.

FM28V100 имеет параллельный интерфейс доступа к памяти, практически неограниченный ресурс циклов перезаписи (1014), малое время доступа (60 нс). Микросхема соответствует стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.


FM28V100

Отличительные особенности:

     объем памяти: 1 Мбит;
     интерфейс: параллельный;
     число циклов перезаписи: 1014;
     время доступа; 60нС;
     напряжение питания: 2…3,6 В;
     температурный диапазон: -40°C...+85°С;
     корпус TSOP32.

Области применения:  микропроцессорные системы управления, системы промышленной автоматизации, системы сбора и хранения данных, портативные устройства.

Источник: www.terraelectronica.ru