Новости электроники
Архив : 8 Февраль 2007 год
08:50Комплект фирмы KEIL SOFTWARE для отладки приложений на базе новейших микроконтроллеров семейства LPC2370
MCB2370 ULINK2 – отладочный комплект фирмы KEIL позволяет разрабатывать и отлаживать программное обеспечение пользователя для микроконтроллеров серии NXP LPC237x. В комплект входит новый JTAG эмулятор фирмы KEIL Software – ULINK2.
MCB2370 ULINK2 – отладочный комплект фирмы KEIL
Отличительные особенности:
установленный микроконтроллер на базе ядра ARM7TDMI LPC2378;
интерфейс USB 2.0 Full Speed;
два последовательных порта;
два порта CAN;
зуммер;
вход АЦП;
символьный ЖКИ;
считыватель карт MMC;
Ethernet интерфейс;
отладочный интерфейс JTAG.
Комплектация:
1. отладочная плата MCB2370;
2. JTAG эмулятор ULINK2;
3. компакт-диск с документацией, исходными кодами и ПО;
4. руководство по быстрому старту uVision IDE.
MCB2370 ULINK2 – отладочный комплект фирмы KEIL
установленный микроконтроллер на базе ядра ARM7TDMI LPC2378;
интерфейс USB 2.0 Full Speed;
два последовательных порта;
два порта CAN;
зуммер;
вход АЦП;
символьный ЖКИ;
считыватель карт MMC;
Ethernet интерфейс;
отладочный интерфейс JTAG.
Комплектация:
1. отладочная плата MCB2370;
2. JTAG эмулятор ULINK2;
3. компакт-диск с документацией, исходными кодами и ПО;
4. руководство по быстрому старту uVision IDE.
Источник: terraelectronica.ru
08:39Мощный MOSFET с широким интервалом рабочих напряжений от INTERNETIONAL RECTIFIER
Компания INTERNETIONAL RECTIFIER выпустила Direct FET MOSFET IRF6643PbF
с напряжением 150В для работы в DC/DC изолированных преобразователях, используемых в системах с универсальным для систем телекоммуникации интервалом питающих напряжений от 36 до 75В, а также для устройств с фиксированным напряжением 48В.
За счет применения современного монтажа DirectFET, в сочетании с технологией следующего поколения мощных кремниевых HEXFET MOSFET, новые приборы обеспечивают токи до 35А при лучшем КПД и меньшем нагреве, даже в корпусах, аналогичным по размерам SO-8. Дальнейшие усовершенствования привели к дополнительному улучшению таких критических параметров транзисторов, как последовательное сопротивление, заряд затвора и промежутка затвор-сток, что и определило увеличение плотности тока одиночного MOSFET.
В силу сокращения площади структуры на 50% одиночный DirectFET MOSFET теперь может заменить два-три старых прибора в корпусах SO-8. Крайне низкое (29мОм при 10В) значение прямого сопротивления, а также малая индуктивность транзисторов делают их крайне привлекательными для использования в сильноточных синхронных выпрямителях. Низкие значения зарядов затвора (39нКл) и промежутка затвор-сток
11нКл у IRF6643TRPbF позволяют ему хорошо работать по первичной стороне преобразователей с изолированной или промежуточной DC шиной. IRF6643TRPbF монтируется в средний по размеру (MZ) корпус DirectFET.
с напряжением 150В для работы в DC/DC изолированных преобразователях, используемых в системах с универсальным для систем телекоммуникации интервалом питающих напряжений от 36 до 75В, а также для устройств с фиксированным напряжением 48В.
За счет применения современного монтажа DirectFET, в сочетании с технологией следующего поколения мощных кремниевых HEXFET MOSFET, новые приборы обеспечивают токи до 35А при лучшем КПД и меньшем нагреве, даже в корпусах, аналогичным по размерам SO-8. Дальнейшие усовершенствования привели к дополнительному улучшению таких критических параметров транзисторов, как последовательное сопротивление, заряд затвора и промежутка затвор-сток, что и определило увеличение плотности тока одиночного MOSFET.
В силу сокращения площади структуры на 50% одиночный DirectFET MOSFET теперь может заменить два-три старых прибора в корпусах SO-8. Крайне низкое (29мОм при 10В) значение прямого сопротивления, а также малая индуктивность транзисторов делают их крайне привлекательными для использования в сильноточных синхронных выпрямителях. Низкие значения зарядов затвора (39нКл) и промежутка затвор-сток
11нКл у IRF6643TRPbF позволяют ему хорошо работать по первичной стороне преобразователей с изолированной или промежуточной DC шиной. IRF6643TRPbF монтируется в средний по размеру (MZ) корпус DirectFET.
Источник: terraelectronica.ru