Архив : 14 Сентябрь 2006 год

До сих пор самыми "быстрыми" IGBT считались транзисторы серии WARP II, разработанные компанией International Rectifier, и способные по своим динамическим свойствам заменить в некоторых применениях MOSFET. Однако такие компоненты выпускаются только в дискретных корпусах и предназначены для диапазона малых токов. Модули SEMITOP новой 067 серии обладают сверхнизкими потерями переключения, они предназначены для применения в диапазоне мощности до 20 кВт.

В конце 2005 года компанией SEMIKRON было объявлено о начале производства сверхбыстрых модулей IGBT HyperFast, предназначенных для работы на частотах свыше 30 кГц. Модули серии 067 с рабочим напряжением 600 В в конструктиве SEMITOP, рассчитанные на применение в диапазоне мощности до 20 кВт, выпускаются в различных конфигурациях, включая полумосты, чопперы и 3-фазные мосты, их номинальный ток в зависимости от типа корпуса находится в диапазоне от 45 до 150 А.

Как показывают графики зависимости мощности потерь от частоты переключения, приведенные на рисунке, преимущества модулей HyperFast наиболее ярко проявляется на частотах выше 30...50 кГц. На меньших частотах их применение нецелесообразно из-за достаточно высоких потерь проводимости. Энергия переключения у них снижена почти на 30% по отношению к компонентам класса UltraFast NPT, у кристаллов HyperFast IGBT практически отсутствует хвостовой ток (tail current).

А - зависимость мощности потерь от частоты для различных классов быстрых IGBT, В - соотношение прямого падения напряжения и заряда обратного восстановления для диодов Turbo 2.

Чтобы добиться максимальной эффективности применения модулей HyperFast на высоких частотах, было разработано новое поколение сверхбыстрых антипараллельных диодов, названных Turbo 2. На рисунке приведена характеристика, определяющая соотношение прямого напряжения VF и заряда обратного восстановления Qrr для диодов данного класса. По сравнению с диодами серии CAL предыдущего поколения величина Qrr снижена в 3 раза, значение пикового тока обратного восстановления IRRM - почти в 2 раза при одновременном уменьшении VF на 25...30% при температуре 125°С!

Новые модули 067 серии предназначены для использования в высокочастотных применениях, где потери переключения являются определяющими: источники питания, UPS, системы индукционного нагрева, скоростные привода.

Источник:chipdoc

Новые MOSFET для синхронного выпрямления имеют меньшие потери на электропроводность диэлектрика, что повышает КПД и большую плотность мощности.

Компания INTERNATIONAL RECTIFIER представила новые HEXFET MOSFET с расширенным диапазоном напряжений до 60 и 75В, которые могут быть использованы в DC-DC преобразователях и низковольтных электроприводах, а также для AC-DC синхронного выпрямления в источниках питания серверов, настольных РС и ноутбуков.

Непрекращающаяся работа по повышению скорости и плотности мощности схем обработки данных выдвигает все более жесткие требования к источникам питания. Новые семейства MOSFET IRFB/S/SL3206, 3306, 3207Z и 3307Z предлагают высочайшее качество синхронного выпрямления для применений в AC-DC преобразователях с коммутацией (SMPS), а также повышенную на 10% плотность мощности, по сравнению с предыдущим промышленным стандартом, достигнутую благодаря снижению значения RDS во включенном состоянии.

Максимальное значение RDS(on) для нового транзистора на 75В лежит в интервале от 4,1 до 5,8мОм, а для прибора на 60В – от 3,0 до 4,2мОм. Новые транзисторы могут поставляться в корпусах TO-220, D2Pak и TO-262, сертифицированных по стандартным промышленным требованиям и уровню 1 (MSL1) по влажности. Предлагаемый IR выбор корпусов позволяет упростить процедуру модификации существующих конструкций. Все типы корпусов выполнены без свинца и предназначены максимально облегчить разработчикам задачу выполнения требований директивы RoHS в новейших SMPS разработках без какого-либо компромисса по качеству.

Источник:terraelectronica

Компания National Semiconductor расширяет номенклатуру цифро-аналоговых преобразователей (ЦАП) на шесть новых сверхмаломощных 2 и 4-канальных ЦАП с 8, 10 и 12-разрядной разрешающей способностью. Новые ЦАП размещены в миниатюрном корпусе LLP с размерами 3 мм х 3 мм, а также в корпусе MSOP.

Каждый ЦАП характеризуется очень малой потребляемой мощностью и типичными временами установления от 3 до 6 мкс при напряжении питания 2.7 В-5.5 В. Например, 12-разрядный 2-канальный ЦАП DAC122S085 характеризуется максимальной потребляемой мощностью 1.5 мВт при напряжении питания 3.6 В в нормальном режиме работы и не более 0.2 мкВт (типичное значение) в экономичном режиме. Такой низкий уровень потребления делает данные ЦАП идеально подходящими для применения в портативных электронных устройствах.

Совместимость по расположению выводов разработчикам разрабатывать унифицированные печатные платы, на которые могут устанавливаться различные микросхемы, не требуя каких-либо согласовывающих элементов. За последние два года компания National выпустила свыше 50 АЦП и ЦАП. Новые ЦАП являются взаимозаменяемыми, таким образом, предоставляя разработчикам широкие возможности в выборе разрешающей способности и количестве каналов.

12-разрядный 4-канальный ЦАП DAC124S085 характеризуется типичной интегральной нелинейностью (ИНЛ) не более 2.3 мл.разр. и типичной дифференциальной нелинейностью не более ±0.15 мл. разр. Каждый ЦАП характеризуется полным размахом выходного напряжения по линиям питания, использует внешний источник опорного напряжения и рассчитан на работу в температурном диапазоне -40°C…+105°C. Кроме того, каждый ЦАП при работе от источника питания напряжением 2.7-5.5 В может синхронизироваться частотой до 30 МГц.

Источник:Rainbow Technologies