Архив : 27 Февраль 2006 год

Компания Rohde&Schwarz сообщила о выходе нового прибора - генератора сигналов R&S SMA100A с особо чистым спектром. Генератор имеет выходной диапазон частот от 9 кГц до 3 ГГц, мощностей от -145 дБм до +25 дБм и предназначен для измерений подавления соседних каналов приема и фазовых шумов.

Типовое значение фазовых шумов в полосе 1 Гц на отстройке 20 кГц от несущей 1 ГГц составляет -135 дБс. Дополнительно эти шумы могут быть понижены до -140 дБс. Уровень паразитных гармонических составляющих при отстройке более 10 кГц составляет -90 дБс, что дает возможность использовать прибор в качестве источника опорного сигнала при тестировании СВЧ монолитных микросхем и синтезаторов частоты.

Базовая конфигурация генератора обеспечивает амплитудную и импульсную модуляцию. Опционально возможны частотная и фазовая модуляция. Генератор оснащен износостойким электронным аттенюатором, имеет малое время установки выходного сигнала и сверхмалые нелинейные искажения.

Источник:ЭлекТрейд-М

Общее описание
1 февраля 2006 г., мировой лидер в области видеосенсоров и микросхем памяти компания Micron Technology, запускает в производство новую серию памяти в MCP (multichip) корпусе для использования в многофункциональных мобильных телефонах. Новейшее поколение связи 3G требует повышения скорости, объема и функциональности от микросхем памяти при небольших габаритных размерах. Благодаря технологии создания MCP корпусов, микросхема имеет небольшие размеры и позволяет совмещать в себе несколько типов памяти. Компания Micron запускает линейку микросхем включающих в себя Flash (NAND) и Mobile DRAM память.

6 февраля 2006 г., компания Micron выпускает миниатюрный 2-Мегапиксельный сенсор MT9D112 для тонких эргономичных мобильных телефонов, с помощью которого конечный пользователь получает высококачественную цифровую картинку. Сенсор поддерживает стандарт MIPI (Mobile Industry Processor Interface) и позволяет снимать видео со скоростью до 30 fps.

Технические характеристики
MCP память
•сочетание достоинств Flash (NAND) и Mobile DRAM памяти в одном корпусе микросхемы
•большой объем памяти
•высокая скорость
•меньшие габариты микросхемыMT9D112
•поддержка стандарта MIPI ((Mobile Industry Processor Interface))
•разрешение в 15фремов/с и 30 фреймов/с в режиме видео съемки
•CMOS технология

Применение
•портативная техника

Источник:Петербургская электронная компания