FM25256-S и FM25L256-G - энергонезависимая память емкостью 256 кбит, выполненная по новейшей сегнетоэлектрической технологии. Сегнетоэлектрическая память FRAM с произвольным доступом является энергонезависимой памятью и выполняет операции чтения-записи на скорости шины. Гарантийный срок хранения данных более 10 лет. Количество циклов перезаписи фактически неограниченно - 1014 циклов. Полностью совпадает по посадочному месту и расположению выводов со стандартными микросхемами EEPROM, отличаясь от них более низким энергопотреблением.
Отличительные особенности:
256-кбит сегнетоэлектрического энергонезависимого RAM:
- организация памяти 32768 x 8 бит;
- неограниченное количество циклов чтение-запись;
- длительность хранения данных более 10 лет;
- технология NoDelay™ (запись без задержек);
- высоконадежная сегнетоэлектрическая технология.
Быстродействующий последовательный интерфейс SPI:
- частота 15 МГц для FM25256 и 25 МГц для FM25L256;
- непосредственная замена для стандартных EEPROM;
- поддержка режимов SPI 0 и 3 (CPOL, CPHA=0,0 и 1,1).
Схема защиты от записи:
- аппаратная защита;
- программная защита.
Широкий рабочий диапазон:
- напряжение питания 4,0…5,5 В для FM25256 и 2,7…3,6В для FM25L256;
- потребляемый ток для FM25L256 в дежурном режиме не более 1 мкА.
Стандартные промышленные конфигурации:
- промышленный температурный диапазон -40°C…+85°C;
- корпус SOIC-8.
Области применения: приложения, требующие частой и быстрой записи данных или экономичности работы; cистемы накопления данных; системы промышленного управления; критичные к длительности цикла записи.
Источник:terraelectronica