Корпорация Atmel анонсировала два новых 4-Mbit модуля статических ОЗУ (SRAM) с временем доступа к ячейке 20 нс, отвечающих требованиям космической индустрии по радиационной стойкости, производительности, и массогабаритным параметрам.
В отличие от существующих 3.3 В модулей AT60142E, Atmel предложила две новых версии: AT60142F с улучшенными параметрами по скорости и потребляемой мощности и AT60142FT со стабилизированным 5В питанием. Приборы AT60142F/FT позволили Atmel предложить решение для приложений, в которых необходимы быстрые вычисления и низкое потребление. Это космическая индустрия, погрузочная морская техника.
Выполненные по специальной радиационностойкой 0.25мкм CMOS технологии Атмел , AT60142F/FT являются асинхронными SRAM с организацией 512 K x 8 бит и очень низким потреблением. Оба прибора совмещают радиационную стойкость (общая доза до 300 MэВ) с малым временем доступа и полным военным температурным диапазоном. В сравнении с временем доступа 20 нс для AT60142E, AT60142F достигает 15 нс (66 MГц) при рабочем токе 180 мA, тогда как для AT60142FT это время составляет 17 нс при 170 мA. Дополнительные спецификации тока в рабочем режиме предоставляются для частот от 1 до 40 MГц в режиме чтения или записи.
Прибор AT60142FT является 5 В вариантом AT60142F и обеспечивает интерфейс с сигналами, поступающими от 5 В микросхем, и сохраняет содержимое памяти при снижении напряжения питания до 3.3 В. Будучи совместимым с другими 5В 4-Mбит SRAMs, AT60142FT гарантирует снижение потребляемой мощности на 53% при той же скорости. Это достигнуто за счет применения буферов со стабилизированным 5 В питанием. Следствием чего стала гарантированная рабочая частота 59 MГц (17нс).
Оба прибора AT60142F и AT60142FT работают от 3.3 В в то время, как внутренний регулятор смещает напряжение заряда до уровня 2.5V. Следовательно, на плате нужен единственный источник 3.3 В, что позволяет разработчикам легко встраивать новую память в существующие и новые аэрокосмические приложения. Для предотвращения множественных индуцировнных SEU ошибок в одном и том же байте, память AT60142F/FT организована как восемь одноразрядных параллельных блоков 512Kx1. Это позволяет разработчикам применять простые EDAC, повышая производительность приложений, минимизируя время и сложность разработки. Уровень индуцированных SEU ошибок находится на уровне 10 -7 на разряд в день.
Поскольку AT60142E и AT60142F/FT размещены в 36-выводном корпусе с шагом выводов 1,27 мм - минимальном корпусе, имеющемся на рынке для такого типа SRAM, они весят только 3 грамма - это соответствует жестким требованиям аэрокосмической отрасли. Оба прибора по выводам, размеру совместимы с AT60142E. Вне зависимости от того, применяется ли память в корпусе или кристалле, он точно совпадут с теми же установочными площадками, что были сделаны для предыдущей модели.
Источник:Rainbow Technologies