IR25750L – новое решение от International Rectifier для измерения тока без использования дополнительных датчиков. Микросхема измеряет падение напряжения на сопротивлении открытого канала MOSFET или напряжение насыщения IGBT транзистора, выполняющего роль ключевого элемента для управления мощностью в нагрузке.
IR25750L позволяет избавиться от токоизмерительного резистора или других дорогостоящих датчиков, при этом повышается общий КПД системы и экономится место на печатной плате. Микросхема может применяться для построения токовой защиты в системах электропривода, индукционного нагрева и других промышленных системах.
IR25750L не требует дополнительного внешнего питания – вход затвора (GATE) не только обеспечивает синхронизацию моментов измерения падения напряжения на силовом транзисторе с его открытым состоянием, но и обеспечивает необходимое питание микросхемы. Благодаря применению передовых высоковольтных технологий International Rectifier, микросхема обеспечивает блокировку высоковольтного входного напряжения транзистора (до 600 В) от низковольтной части схемы в периоды закрытого состояния транзистора.
Типовая схема включения IR25750L
Другими преимуществами новой микросхемы являются низкая емкость входа GATE и встроенная цепочка формирования внутренней временной задержки (порядка 200 нс) после появления активного сигнала на входе GATE – для обеспечения полного открытия силового транзистора перед началом измерения напряжения на нем. Выводы GATE и CS защищены внутренними ограничительными диодами с напряжением 20.8 В. При построении силовых систем, требующих более точного измерения тока, возможна установка внешней программируемой цепи температурной компенсации. Встроенная ESD-защита и отличный иммунитет к эффекту защелкивания на всех выводах обеспечивают промышленной микросхеме IR25750L высокую степень интегрированной защиты.
Источник: www.compel.ru