SiA936EDJ – сдвоенный компактный 20V N-MOSFET с низким RDSon
Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность изделия, SiA936EDJ имеет самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии для 20 В MOSFET транзисторов с размерами посадочной площадки 2х2 мм на печатной плате.
Основные преимущества:
- низкое сопротивление канала в открытом состоянии:
- 34 мОм (4.5 В)
- 37 мОм (3.7 В)
- 45 мОм (2.5 В)
позволяет снизить перепады напряжения при большой нагрузке, что очень важно для правильной работы низковольтных узлов с системами контроля питания;
- номинальный продолжительный ток нагрузки, ограниченный корпусом – 4.5 А;
- встроенная ESD защита 2000 В;
- два МОП-транзистора, встроенных в один компактный PowerPAK SC-70 корпус для экономии места на плате;
- напряжение сток-исток: 20 В;
- напряжение затвор-исток: ± 12 В;
- 100% тестирование затворного сопротивления;
Область применения:
Коммутация питания для различных низковольтных нагрузок в компактных устройствах, преобразователи мощности, системы защиты аккумуляторов.
Источник: www.compel.ru
Vishay Intertechnology представила новый сдвоенный N-канальный TrenchFET силовой MOSFET-транзистор в ультракомпактном, термически улучшенном корпусе PowerPAK SC-70. Разработанный чтобы сэкономить место на плате и увеличить энергоэффективность изделия, SiA936EDJ имеет самое низкое в отрасли сопротивление в открытом состоянии для 20 В MOSFET транзисторов с размерами посадочной площадки 2х2 мм на печатной плате.