Автор предлагает весьма простое схемное решение для достижения эффективных регулировок при формировании сигналов для сабвуфера. Для удобства регулировки из зоны прослушивания узел может быть оснащён проводным дистанционным управлением, что способствует получению оптимального сопряжения сабвуфера с конкретной стереофонической АС.
В многоканальных кинотеатральных аудиосистемах формата 5.1 и выше сигнал канала сабвуфера уже сформирован - остаётся его только усилить и воспроизвести. Обычные двухканальные стереосистемы сейчас также нередко дополняют сабвуфером - получается система 2.1. Такое решение позволяет улучшить воспроизведение сигналов в полосе НЧ и уменьшить объём АС левого и правого стереоканалов (от них теперь не требуется полноценная "басовитость"). Как правило, в недорогих системах класса музыкальных центров или компьютерных АС пользователю недоступны какие-либо регулировки в канале сабвуфера или их выбор минимален (только уровень). В высококачественных активных сабвуферах промышленного производства присутствует ряд узлов, необходимых для настройки звучания системы в конкретном помещении: фильтр для подавления инфранизких частот (subsonic), фазовый корректор, басовый эквалайзер.
Вниманию читателей предлагаются два варианта формирователя сигнала сабвуфера с необходимыми регулировками.
В первом варианте (схема на рис. 1) предусмотрены дистанционная регулировка уровня и дистанционное же переключение фазы сигнала сабвуфера. Первый каскад на DA1.1 - сумматор и ФНЧ первого порядка с частотой среза 160 Гц. Каскад на DA1.2 инвертирует фазу, остаётся только выбрать сигнал по лучшему, слитному звучанию. На микросхеме DA2 (TDA8196) выполнены коммутатор фазы сигнала и дистанционный регулятор уровня, управляемый постоянным напряжением.
Рис. 1
Режим работы микросхемы задаётся внутренними цепями, с вывода 5 берётся напряжение, близкое к половине напряжения питания, для обеспечения режима ОУ DA1. С выхода регулятора уровня сигнал поступает на ФНЧ второго порядка на эмиттерном повторителе VT1. Частоту среза можно плавно перестраивать от 150 до 50 Гц (на рис. 2 показаны АЧХ узла - кривые 1 и 2 соответственно), причём добротность фильтра выбрана выше баттервортовской. В результате при максимальной частоте среза крутизна достигает 18 дБ на октаву. Возникающий при этом на АЧХ фильтра подъём нейтрализуется ФНЧ на микросхеме DA1, в результате АЧХ при повышении частоты среза приобретает крутой перегиб.
Рис. 2
Во втором варианте формирователя (рис. 3), наряду с дистанционной регулировкой уровня (переменным резистором R21), предусмотрены плавная регулировка фазы сигнала сабвуфера (переменным резистором R8) и оригинальный корректирующий каскад на транзисторе VT1, сочетающий в себе бас-бустер и ФВЧ (subsonic), ограничивающий прохождение самых низких звуковых частот. Принцип действия оптимизатора баса прост - за счёт высокой добротности фильтра ВЧ вблизи частоты среза появился "горбик", а крутизна АЧХ заметно увеличена. Главное достоинство - при включении такого бас-бустера невоспроизводимые низкочастотные составляющие сигнала подавляются, и бас, приобретая вожделенную "упругость" и "мясистость", не заставит динамики стучать катушкой о магнит.
Рис. 3
Обычно subsonic выполняют перестраиваемым, но если отказаться от перестройки фильтра по частоте, то конструкция получается заметно проще при той же эффективности. Удобно выбрать частоту среза фильтра в области 20...30 Гц - в этом случае, с одной стороны, не страдают звуковые составляющие низкочастотного сигнала, а с другой - обеспечивается достаточное подавление составляющих с частотой 10...15 Гц, вызывающих перегрузку сабвуфера. На рис. 2 показаны АЧХ с включённым (кривые 3, 4) и выключенным (кривые 1, 2) оптимизатором баса.
Конструкция некритична к типу деталей. В позиции DA1 можно использовать любые ОУ со встроенной коррекцией (4558, 4560 и т. п.), не обязательно сдвоенные. Транзисторы - любой структуры n-p-n с коэффициентом передачи тока базы не менее 100. Проводной пульт управления можно вынести на расстояние до нескольких метров, при желании в него можно ввести светодиодную подсветку.
Автор: А. Шихатов, г. Москва